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更新日期： 2022-03-18
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SiC作為第三代半導體材料，性能各方面都要優于Si基材料，與傳統基于Si半導體材料的功率器件相比，新興SiC功率器件具有開關速度快、阻斷電壓高和耐高溫工作能力強等優點，更能滿足未來電力電子技術的發展要求。上海瞻芯電子經過三年的深度研發和極力攻關，成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及 SiC MOSFET驅動芯片的公司。本文就瞻芯電子SiC功率器件的可靠性及應用進行說明，讓用戶在使用前放心、使用中省心，從而做出更好的產品。 1. 上海瞻芯電子的SiC

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最強的芯片產業鏈科普，芯片自主可控深度解析（一）

更新日期： 2022-03-18
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如果有人跟你說：“嗨，我做的芯片實現了100%自主可控！”等等，你先不急著崇拜（相信）他，請看完此文再說... 首先，什么叫自主可控，最直觀的理解就是當別人“卡脖子”的時候不會被卡住。集成電路產業通常被分為芯片設計、芯片制造、封裝測試三大領域，參看下圖：我們逐一進行分析，芯片設計主要從ED……

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最強的芯片產業鏈科普，芯片自主可控深度解析（二）

更新日期： 2022-03-18
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上接最強的芯片產業鏈科普，芯片自主可控深度解析（一）刻蝕機刻蝕是將晶圓表面不必要的材質去除的過程。刻蝕工藝位于光刻之后。光刻機用光將掩膜上的電路結構復制到硅片上，刻蝕機把復制到硅片上的電路結構進行微雕，雕刻出溝槽和接觸點，讓……

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氮化鎵“噱頭論”背后的冷思考

更新日期： 2022-03-18
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近日，拜讀遼寧工業大學陳永真教授的文章“氮化鎵FET用電解電容器只不過是噱頭？”感觸良多，應運而生的氮化鎵（GaN）FET（場效應晶體管）用電解電容器除了體積減小，在制造工藝沒有本質性改變時，其寄生電感無法大幅降低，且在高開關頻率下已呈電感特性，高次諧波頗豐。所以，這樣的電解電容器不用也罷。 ……

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MOSFET柵極驅動電路，你用過幾個？

更新日期： 2022-03-18
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今天分享四種常見的MOS管柵極驅動電路，都用過嗎？ 1、IC直接驅動型這種電源IC的直接驅動是最常見、最簡單的驅動方式。圖1 IC直接驅動MOS柵極使用這種方法，我們應該注意幾個參數及其影響。首先查看電源IC手冊，了解最大峰值驅動電流，因為不同的……

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極簡電力電子學，簡到崩潰

更新日期： 2022-03-18
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世界上有兩種電 ??一種是交流電，它的方向一會兒正一會兒負 ??一種是直流電，它的方向從來不變我們家里插座里的電就是交流電電池發出的電就是直流電有時候，我們需要把交流電轉換成直流電，比如手機充……

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出貨量突破6億顆，GD32 MCU賦能電機驅動智能解決方案

更新日期： 2022-03-18
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喜報！GD32 MCU累計出貨量正式突破6億顆！猶記得2020年底咱們才官宣了“5億顆出貨量”的喜訊，在短短數月的時間里，GD32 MCU達成新出貨1億顆的“小目標”，成為了產能緊缺環境下、率先恢復產能有序供應的芯片企業之一。 MCU技術的發展推動了電機控制方案以更低成本、更高效率的驅動升級路線。作為MCU產業的……

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汽車電子新寵兒，新一代步進電機驅動IC TB9120AFTG

更新日期： 2022-03-18
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汽車是重要交通工具，隨著生活水平的提高，越來越多的人選擇購買汽車。在世界500強名單的前十名中，與汽車和能源相關的企業占據了8個席位，足以看得出汽車產業在市場中舉足輕重的地位。而隨著環保理念的提升，各大汽車公司在傳統燃油車的基礎上投入大量的資金來研發污染更低的電動汽車，以解決資源短缺的問題。面對日益增長的汽車市場，東芝……

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IGBT關斷過程是怎樣的？(第一講)

更新日期： 2022-03-18
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搞電力電子的對IGBT可能再熟悉不過了，全稱絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由MOS（絕緣柵型場效應管）和BJT（雙極性晶體管）組成的復合全控型功率半導體器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，通過十幾伏的門極控制信號，即可實現kV級電壓和kA級電流的控制，作為國……

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高導熱氮化硅陶瓷基板研究現狀

更新日期： 2022-03-18
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目前我國的商用高導熱 Si3N4陶瓷基片與國外還是存在差距。因此，研發高導熱的 Si3N4陶瓷基片必將促進我國 IGBT(Insula-ted gate bipolar transistor)技術的大跨步發展，為步入新能源等高端領域實現點的突破。近年來氮化硅陶瓷基板材料的實際熱導率不斷提高，但與理論熱導……

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