有声小说打包下载,盗墓笔记全集,神武八荒一颗小说

更新日期： 2022-03-18
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近幾年來，氮化鎵快充從最初的第三方品牌配件逐步進入系統內，成為眾多手機、筆電產品的標配。同時，氮化鎵技術在消費類電源市場中的應用領域也得到拓展，從單一的快充充電器，逐步延伸至快充拓展塢、快充插線板、快充墻插等品類。在這一過程中，氮化鎵也從最開始的黑科技逐漸變成了家喻戶曉的技術。充電頭網已經累計拆解了近……

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MEMS硅晶振替代石英六大優勢解決電子工程師問題痛點

更新日期： 2022-03-18
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導讀：在不斷拓展的計時場景應用中，電子系統對計時元件提出了更高、更復雜的技術要求，而傳統的石英晶振無法克服其固有限制，如怕摔怕振，易斷裂，易溫漂，有限的頻率等缺點。其已經不能滿足所有應用領域需求。與石英晶振相比，MEMS硅晶振憑借有不停振、不跑偏、不怕摔，無溫漂，體積小可編程等優勢將有機會替代傳統石英晶振，解決電子工程……

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一文講透靜電放電（ESD）保護

更新日期： 2022-03-18
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一直想給大家講講ESD的理論，很經典。但是由于理論性太強，任何理論都是一環套一環的，如果你不會畫雞蛋，注定了你就不會畫大衛。先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應該是造成所有電子元器件或集成電路系統造成過度電應力破壞的主要元兇。因為靜電通常瞬間電壓非常高(>……

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霍爾效應（HALL）是什么？霍爾效應傳感器工作原理解析

更新日期： 2022-03-18
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集成電路(Hall Effect IC)，霍爾效應傳感集成電路(Hall Effect Sensor IC)，霍爾傳感器(Hall Sensor)，霍爾電路，霍爾IC。Hall有時也被翻譯成霍耳，所以也可稱霍耳集成電路等。以下簡稱霍爾IC。霍爾IC通常按輸出信號類型分為數字霍爾IC和線性霍爾IC。數字霍爾IC通……

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3D 封裝將成為主要工藝? ！芯片巨頭決戰先進封裝！

更新日期： 2022-03-18
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一、3D封裝將成為主要工藝轉自：智東西近日，中國臺灣工業技術研究院研究總監 Yang Rui 預測，臺積電將在芯片制造業再占主導地位五年，此后 3D 封裝將成為主要工藝挑戰。過去十年各種計算工作負載飛速發展，而摩爾定律卻屢屢被傳將走到盡頭。面對更家多樣化的計算應用需求，為了將更多功能 &……

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功率mos管為何會被燒毀？都進來看看！

更新日期： 2022-03-18
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mos在控制器電路中的工作狀態：開通過程（由截止到導通的過渡過程）、導通狀態、關斷過程（由導通到截止的過渡過程）、截止狀態。 Mos主要損耗也對應這幾個狀態，開關損耗（開通過程和關斷過程），導通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個忽略不計），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗，不同mos這個差距可能很大。 Mos損壞主要原因：過流----------持續大電流或瞬間超大電流

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深度解析！汽車上的功率半導體（二）

更新日期： 2022-03-18
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電力驅動系統主要用在逆變器DC-AC中，將充電電池12V的直流電轉換成為驅動電機220V的交流電驅動電機工作。電機控制系統上需要用到幾十個IGBT，從電池輸出高電壓后，需通過DC-DC變化為低電壓后供汽車低壓網絡使用，例如特斯拉的三相交流異步電機，每相用28個IGBT累計84個，其他電機12個IGBT，特斯拉總共用到9……

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是時候了解氧化鎵了

更新日期： 2022-03-18
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在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中，已故的萊斯特?F.伊斯曼（Lester F. East-man）和烏梅什?K. 米什拉（Umesh K.Mishra）談到了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使……

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干貨！PLC現場安裝、調試全流程實戰經驗

更新日期： 2022-03-18
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PLC控制系統的安裝與調試，涉及到各項工作，并且只能按序進行，一環緊扣一環，稍有不慎都將導致調試失敗，不但延誤工期，甚至會損壞設備。本文介紹了在現場實踐中總結出的PLC控制系統的安裝與調試技術經驗，并對現場經常出現的安裝、調試相關問題，提出探討意見和解決方案。系統的安裝與調試合理安排系統安裝與調試程序，是確保高效優質地完成安裝與調試任務的關鍵。 1、前期技術準備系統安裝調試前的技術準備工作越充分，安裝與調試就會越順利。前期技術準備工作包括下列

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