摘要：傳統(tǒng)功率電子封裝主要以釬料連接和引線鍵合等二維平面封裝技術(shù)為主，無(wú)法滿足第三代半導(dǎo)體器件在高頻、高壓、高溫下的可靠應(yīng)用。為了解決這一問(wèn)題，二維平面封裝逐漸向三維集成封裝發(fā)展。對(duì)功率電子封裝技術(shù)中的關(guān)鍵材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的研究進(jìn)展進(jìn)行了總結(jié)和展望。連接材料從錫基釬料逐漸發(fā)展為金基釬料、瞬態(tài)液相連接材料、燒結(jié)銀等高導(dǎo)熱、……

描述 電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流，但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。 據(jù)總部位于法國(guó)的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement估計(jì)，到2025年SiC器件市場(chǎng)營(yíng)收將占……

20世紀(jì)中期出現(xiàn)了功率器件，經(jīng)過(guò)近30年的發(fā)展，MOS和BJT技術(shù)的結(jié)合催生出IGBT技術(shù)。IGBT經(jīng)過(guò)不斷更新，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于車輛、焊接、航天航空等領(lǐng)域。本文介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理，并對(duì)其在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行闡述，有助于從業(yè)者全面深入了解IGBT原理及其在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。 隨著全球變暖和環(huán)境……

如下是一個(gè)NMOS的開(kāi)關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開(kāi)啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以周期T=20ms進(jìn)行開(kāi)啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。 首先仿真Vgs和Vds的波形，會(huì)看到Vgs=2V的時(shí)候有一個(gè) 小平臺(tái) ，有人會(huì)好奇為什么Vgs在上升時(shí)會(huì)有一個(gè)小平臺(tái)？ ……

引言 碳化硅(SiC)器件制造技術(shù)與硅制造有許多相似之處，但識(shí)別材料差異是否會(huì)影響清洗能力對(duì)于這個(gè)不斷發(fā)展的領(lǐng)域很有意義。材料參數(shù)差異包括擴(kuò)散系數(shù)、表面能和化學(xué)鍵強(qiáng)度，所有這些都可以在清潔關(guān)鍵表面方面發(fā)揮作用。這項(xiàng)工作將100毫米或150毫米4H碳化硅晶片經(jīng)過(guò)汞探針電容電壓(MCV)繪圖后的痕量表面污染水平與……

低頻來(lái)自兩部分：差模和共模濾波。差模濾波試圖減少電流返回回線的電源線上噪聲。這意味著電源線上噪聲存在在外殼和回線上。所以濾波的目的是在它離開(kāi)外殼之前分流到回線，這樣保證它返回而測(cè)量不到。設(shè)置一個(gè)電感在功率線上，阻斷它出去，同時(shí)提供一個(gè)電容在電源與回線之間，提供噪聲低阻抗通道。通常商業(yè)測(cè)試時(shí)帶有 LISN（Line Im……

今年10月28日，在英特爾ON技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)上，英特爾揭開(kāi)了第12代英特爾酷睿處理器產(chǎn)品家族的神秘面紗，推出了六款全新未鎖頻臺(tái)式機(jī)處理器，其中包括全球性能出眾的游戲處理器——第12代英特爾酷睿i9-12900K。憑借最高5.2GHz的睿頻頻率及多達(dá)16核與24線程的規(guī)格，全新處理器可為游戲發(fā)燒友和專業(yè)創(chuàng)作者釋放更高的多線……

模擬電路設(shè)計(jì)需要扎實(shí)的模電基礎(chǔ)以及豐富的經(jīng)驗(yàn)積累，這里，我們分享一位模電老工程師的總結(jié)，幫助大家在設(shè)計(jì)中少踩坑，少走彎路 ，覺(jué)得好的點(diǎn)個(gè)贊?。? 1. 系統(tǒng)定義 ??系統(tǒng)定義是模擬電路設(shè)計(jì)的基本前提。根據(jù)設(shè)計(jì)要求，模擬電路設(shè)計(jì)工程師需要對(duì)電路系統(tǒng)及子系統(tǒng)做出相應(yīng)的功能定義，并確定面積、功耗等相關(guān)性能的參……

近兩年來(lái)，氮化鎵在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的發(fā)展迅速，無(wú)論是高性價(jià)比的高頻QR反激拓?fù)溥€是主打高性能的有源鉗位反激，亦或是百瓦大功率專用的LLC，市面上的氮化鎵快充新品一直都層出不窮。 當(dāng)然，技術(shù)的成熟也會(huì)讓產(chǎn)品的性能和賣點(diǎn)都面臨著同質(zhì)化的問(wèn)題，為了尋求產(chǎn)品的更多差異化，電源廠商也是絞盡腦汁。比如，近日充電頭網(wǎng)就拿……

1、基本名詞 常見(jiàn)的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) ■Buck降壓 ■Boost升壓 ■Buck-Boost降壓-升壓 ■Flyback反激 ■Forward正激 ■Two-Transistor Forward雙晶體管正激 ■Push-Pull推挽 ■Half Bridge半橋 ■Full Bridge全橋 ■SEPIC ■C’uk 基……

在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別……

GD32是國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)的一款單片機(jī)，據(jù)說(shuō)開(kāi)發(fā)的人員是來(lái)自ST公司的，GD32也是以STM32作為模板做出來(lái)的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的。 不過(guò)GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開(kāi)發(fā)的東西還是有區(qū)別的。 相同的地方我們就不說(shuō)了，下面列一下不同的地方。 1 內(nèi)核 GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核，下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表，GD使用的內(nèi)核只有752419這一個(gè)BU