01前言 工作中的電路板有許多發(fā)熱比較大的元器件，比如MOS管、LED、三極管，尤其在滿載的情況下更為嚴(yán)重，散熱通孔是眾所周知的一種通過電路板表面貼裝元件的散熱方法。 在結(jié)構(gòu)上，板上開有一個(gè)通孔，如果該板是單層雙面板，則使銅箔連……

在產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)，倘若沒有考慮應(yīng)用環(huán)境對(duì)電源隔離的要求，產(chǎn)品到了應(yīng)用時(shí)就會(huì)出現(xiàn)因設(shè)計(jì)方案的不當(dāng)導(dǎo)致的系統(tǒng)不穩(wěn)定，甚至出現(xiàn)高壓損壞后級(jí)負(fù)載的情況，以及出現(xiàn)危害人身財(cái)產(chǎn)安全的情況。因此產(chǎn)品設(shè)計(jì)是否需要隔離至關(guān)重要。 ……

GaN 半導(dǎo)體具有高二維電子氣濃度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高的電子飽和速度等特點(diǎn)，在微波大功率器件應(yīng)用領(lǐng)域有較第一、二代半導(dǎo)體材料顯著的性能優(yōu)勢(shì)，其輸出功率密度可以幾倍甚至十幾倍于 GaAs 微波功率 FET，滿足新一代電子產(chǎn)品對(duì)更大功率、更高頻率、更小體積微波功率器件的要求，被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)系統(tǒng)、通信系統(tǒng)等軍民領(lǐng)域。

一、阻抗測(cè)試基本概念 阻抗定義： 阻抗是元器件或電路對(duì)周期的交流信號(hào)的總的反作用。 AC 交流測(cè)試信號(hào) (幅度和頻率)。 ……

自從100年前物理學(xué)家尼古拉·特斯拉提出無(wú)線電力傳輸?shù)臉?gòu)想，“無(wú)線充電”技術(shù)已經(jīng)取得了極大的進(jìn)步，但在商業(yè)化應(yīng)用方面一直進(jìn)展緩慢。直到最近幾年手機(jī)無(wú)線充電流行起來(lái)，“無(wú)線充電”這一技術(shù)才為大眾所熟知，在幫助手機(jī)用戶擺脫線纜糾纏的同時(shí)，開始滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域，小至TWS耳機(jī)和微型IoT傳感器，大至廚房電器和電動(dòng)汽車。 ……

電感有交變電流，電感底部鋪銅會(huì)在地平面上產(chǎn)生渦流，渦流效應(yīng)會(huì)影響功率電感的電感量，渦流也會(huì)增加系統(tǒng)的損耗，同時(shí)交變電流產(chǎn)生的噪聲會(huì)增加地平面的噪聲，會(huì)影響其他信號(hào)的穩(wěn)定性。 在EMC方面來(lái)看，在電感底部鋪銅，完整的地平面鋪銅有利于EMI的設(shè)計(jì)；現(xiàn)在的電感的生……

MOS管發(fā)燙的原因，最近我有用到一個(gè)MOS管，MOS管的型號(hào)是2N7002，市面上很常見的MOS管，這個(gè)MOS管是一個(gè)電路的組合，是個(gè)自己設(shè)計(jì)的電路，用來(lái)驅(qū)動(dòng)背光電路的，具體的電路圖我就不截出來(lái)了，我只能說(shuō)造成我MOS管發(fā)燙的原因的話是我柵極驅(qū)動(dòng)波形上升沿速度緩慢，因?yàn)槲业碾娐沸枰l繁的導(dǎo)通和關(guān)斷，上升沿波形緩慢的結(jié)果就是讓我的MOS管在電路導(dǎo)通的過程中處于線性導(dǎo)通狀態(tài)，也就是沒有完全導(dǎo)通，所以會(huì)發(fā)燙，如果做過開關(guān)電源的話就知道，MOS管上升沿緩慢代表什么，原因知道的話那就好辦了，驅(qū)動(dòng)波形上升沿緩慢，也就

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和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢(shì)，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來(lái)越普遍的應(yīng)用。 ……

在DC-DC芯片的應(yīng)用設(shè)計(jì)中，PCB布板是否合理對(duì)于芯片能否表現(xiàn)出其最優(yōu)性能有著至關(guān)重要的影響。不合理的PCB布板會(huì)造成芯片性能變差如線性度下降（包括輸入線性度以及輸出線性度）、帶載能力下降、工作不穩(wěn)定、EMI輻射增加、輸出噪聲增加等，更嚴(yán)重的可能會(huì)直接造成芯片損壞。 ……

什么是功率 MOSFET？ 我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向；我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)信號(hào)。對(duì)于諸如“流控制”或可編程開關(guān)之類的應(yīng)用，我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽說(shuō)過 Bardeen &Brat……

2022年5月，名古屋大學(xué)未來(lái)材料與系統(tǒng)研究所的Hiroshi Amano教授和副教授Atsuyuki Tanaka組成的研究小組決定在“短時(shí)間內(nèi)”以“小損耗”切割出GaN（氮化鎵）襯底宣布開發(fā)出可與Hamamatsu Photonics合作使用的激光切片技術(shù)。作為能夠降低 GaN 器件成本的技術(shù)而備受矚目。 ……