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以下觀點僅代表嘉賓本人立場，文章都已獲得本人授權發布，與本網站無關。?
增強型MOS管結構與工作原理
  • 更新日期： 2023-02-27
  • 瀏覽次數： 3792
一、增強型MOS管結構 1.增強型MOS管結構 ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴散工藝制作成兩個高摻雜的N+區，并引出兩個電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極……
常見的車用芯片AEC-Q驗證問題解答
  • 更新日期： 2023-02-27
  • 瀏覽次數： 2442
在汽車電子向智能化，信息化和網絡化發展的今天，汽車芯片迎來了一個全新的發展契機，車用芯片AEC-Q驗證中經常會碰到什么問題？金鑒實驗室在下面的問題上給大家一個答案。
車系統級芯片SoC：汽車系統級芯片概覽及AEC-Q100車規
  • 更新日期： 2023-02-27
  • 瀏覽次數： 2928
SoC，系統級芯片，汽車系統級SoC主要面向兩個領域，一是駕駛艙，二是智能駕駛，兩者的界限現在越來越模糊。隨著汽車電子架構的演進，新出現了網關SoC，典型的代表是NXP的S32G274A。通常網關SoC不需要太強算力，不過S32G274A有4個Cortex-A53內核，達到低端座艙的水準。 英偉達Orin的內部框架圖 Orin是一個典型的智能駕駛SoC
AI BMS管理方案，能否解決電池安全焦慮？
  • 更新日期： 2023-02-27
  • 瀏覽次數： 2459
近兩年，隨著新能源汽車保有量的增加，新能源汽車自燃的案例也逐漸頻繁。而新能源汽車由于是這兩年備受關注的焦點，發生自燃也是“自帶光環”。 據國家應急管理部消防救援局的數據顯示，2022年第一季度，國內接報的新能源汽車火災共計有640起，同比上升32%，平均算下來，國內每天就發生超過7起新能源汽車起火事件。 ……
劃片工藝流程
  • 更新日期： 2023-02-25
  • 瀏覽次數： 2181
晶圓經過前道工序后芯片制備完成，還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同： 厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割； 厚度不到100um的晶圓一般使用激光……
簡述晶圓減薄的幾種方法
  • 更新日期： 2023-02-25
  • 瀏覽次數： 2729
減薄晶片有四種主要方法，（1）機械研磨，（2）化學機械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）等離子體干法化學蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。 打磨 機械研磨 機械（常規）磨削–該工……
IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性
  • 更新日期： 2023-02-25
  • 瀏覽次數： 3113
IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內部實現電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發展，許多金屬鍵合線被廣泛的應用到IGBT功率模塊互連技術中。目前，常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術中常用材料的性能。 表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合 鋁線鍵合是
SiC IGBT研究進展與前瞻
  • 更新日期： 2023-02-24
  • 瀏覽次數： 2819
摘 要 ……
全面解讀標準AEC-Q200：被動元器件需要做哪些可靠性測試？
  • 更新日期： 2023-02-24
  • 瀏覽次數： 2405
描述 被動元器件又稱為無源器件，是指不影響信號基本特征，僅令訊號通過而未加以更改的電路元件。最常見的有電阻、電容、電感、陶振、晶振、變壓器等。被動元件，區別于主動元件。而國內此前則稱無源器件和有源器件。被動元件內無需電源驅動且自身不耗電，僅通過輸入信號即可作出放大，震蕩和計算的反應，而不需……
電池管理系統BMS主要功能規范
  • 更新日期： 2023-02-23
  • 瀏覽次數： 2793
高壓上下電管理 高壓上電管理：BMS進行自檢狀態，通過檢測后等待VCU上電指令，在接收到VCU上高壓電指令后，BMS控制閉合主負、預充繼電器進行預充，當檢測到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%，預充完成，閉合主正繼電器，延遲一段時間后，斷開預充繼電器，高壓上電完成，進入BMS工作模式。KL15為OFF狀態，或者……
雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試方法研究
  • 更新日期： 2023-02-23
  • 瀏覽次數： 1829
摘要 與傳統單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面傳導熱量，其熱測試評估方式需重新考量。本文進行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試工裝開發與熱界面材料選型，同時對比研究模塊壓裝方式，開發出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結構熱測試方法，可實現單面熱阻測……
MOS工作原理及失效分析
  • 更新日期： 2023-02-23
  • 瀏覽次數： 2900
MOS管是金屬（metal）氧化物（oxide）半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬絕緣體（insulator）半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管

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