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速度提升12倍！日本SiC技術又開掛了？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 2404
據日本科技媒體報道，AIST開發了一項高速SiC晶片拋光技術，可以將速度提升12倍，大幅降低成本，該技術即將導入6英寸SiC晶圓的集成加工工藝中： ▲速度更快：傳統轉速50 rpm，新技術達到700rpm。 ▲多片拋光：傳統方式只能單片研磨，新技術可以同時多片加工。 ▲節省材料：不需要研磨液，只需要水……
集成電路設計中IP技術及其產業發展特點
  • 更新日期： 2022-03-18
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摘 要 ……
PCB可焊性問題的根本原因如何確定？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 3370
印制電路板生產制造的過程中，焊接質量的好壞會直接影響整機產品質量的好壞。常見的可焊性問題有：潤濕不良、立碑、裂紋、氣孔、假焊、虛焊、上錫不良和夾渣缺陷等。 究其原因，到底是什么導致產品出現此類焊接失效問題的發生呢？ 這涉及到以下幾個方面： 01 助焊劑、焊料等原料的質量是否滿足要求。原料……
切片分析技術在電子產品微觀結構中的全應用！
  • 更新日期： 2022-03-18
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電子產品高集成化、微型化發展，電子封裝高精密度、小型化、PCBA高密度互連帶來的精細導線化和微小孔徑化，使得對檢測方法和技術提出了更嚴格的要求。切片分析技術在電子產品微觀檢測方面應用廣泛，起到重要作用！ 通常被用作電子產品的品質判定和品質異常分析、檢驗電路板品質的好壞、PCBA焊接質量檢測、尋找失效……
元器件失效分析
  • 更新日期： 2022-03-18
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失效分析基本概念 定義：對失效電子元器件進行診斷過程。 1、進行失效分析往往需要進行電測量并采用先進的物理、冶金及化學的分析手段。 2、失效分析的目的是確定失效模式和失效機理，提出糾正措施，防止這種失效模式和失效機理的重復出現。 3、失效模式是指觀察到的失效現象、失效形式……
10個電源設計中最常用的公式有哪些？本文幫你梳理清楚
  • 更新日期： 2022-03-18
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1 ---MOSFET開關管工作的最大占空比Dmax： ……
氮化鎵外延用硅襯底問題研究
  • 更新日期： 2022-03-18
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摘?要：隨著硅基氮化鎵外延技術的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產化問題日益凸顯。分析了國產片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題，提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數和技術指標，為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質量硅襯底研制指明了一定的方向。 氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環境下運……
揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片
  • 更新日期： 2022-03-18
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揭秘！怎樣把沙子變成99.999999999%純度的芯片原材料硅片 高純度的單晶硅片是制造各種芯片的基礎材料，半導體級硅的純度極高，通常要達到99.9....%(小數點后面7至9個9，甚至是12個9），且為單晶，即硅原子晶格統一朝向。 當然這里所說的純度一般是僅考慮不含金屬雜質的純度，不包括……
隔離電源與噪聲
  • 更新日期： 2022-03-18
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在惡劣或強電子干擾環境中，比如工業環境和生產裝配線等等，在這些系統中，機械設備、高頻 設備、火花機等等會產出各種干擾和噪聲從而影響其它電源的正常工作。出于對凈化電源的要求， 比如對電源質量要求比較高的精密儀器設備特別是傳感器和微弱信號采集的要求，采用直流隔離 電源是普通和常用的辦法。 直流（或噪聲）隔……
開關電源的MOSFET如何選擇，看這篇就夠了！
  • 更新日期： 2022-03-18
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DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中，這種情況會變得更加復雜。 圖 1—降壓同步開關穩壓器原理圖 DC/DC 開關電源因其高效率而廣泛應用于現代許多電子系統中。例如，同時擁有一個高側 FET和低側 FET 的降壓同步開關穩壓器，如圖 1 所示。這兩個 FET 會根據控制
DAC轉換+運算放大器乘法數模轉換器
  • 更新日期： 2022-03-18
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大多數數模轉換器(DAC)采用固定的正基準電壓工作，輸出電壓或電流與基準電壓和設定的數字碼的乘積成比例。而對于所謂的乘法數模轉換器(MDAC)，情況并非如此，其基準電壓可以變化，變化范圍通常是±10 V。因此，通過基準電壓和數字碼可以影響模擬輸出(在這兩種情況下都是動態的)。 應用 借……
為什么MOS管要并聯個二極管，有什么作用？
  • 更新日期： 2022-03-18
  • 瀏覽次數： 4139
MOS管，是MOSFET的縮寫，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻譯過來是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，根據導電溝道的不同，MOS可以細分為NMOS和PMOS兩種。 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內可以看到，MOS在D、S極之間并聯了一個二極管，有人說這個二極管是寄生二極管，有人說是體二極管，究竟哪個說法準確呢？很多同學也非常好奇：為什么要并聯這個二極管？是否可以刪除呢？ 這要從MOS的工藝和結構說起，不

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