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更新日期： 2022-04-20
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今天說一款電壓型PWM控制器，那就是LM5025芯片，下面咱們看一下它的基本參數。基本特性：芯片內置啟動偏置調節器，具有可編程的低壓鎖定輸出功能（UVLO），電壓型驅動器，5V參考電壓，具有可編程軟啟動功能，具有熱……

更新日期： 2022-04-20
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TVS全稱是transient voltage suppressor，瞬態電壓抑制器，它是一種保護器件。TVS管也屬于二極管，只不過特性與二極管的有區別，它的工作原理與穩壓二極管類似，也是利用反向擊穿穩定電壓，但TVS管的響應速度要快于穩壓管。當電路中的TVS管受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以極高的速度（幾百皮秒）將兩級間的阻抗變為低阻抗，起到很好的浪涌功率吸收作用，同時也能使兩級之間的電壓保持在一個范圍內，達到有效保護電路中其他元器件的免受浪涌脈沖的損壞。 TVS管和ZenerDiode兩

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走進晶圓廠，深入了解芯片制造流程

更新日期： 2022-04-14
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有些晶體管的尺寸超過500億個，這些晶體管比人類頭發絲的寬度還小1萬倍。它們是在巨大的超潔凈廠房地板上制作的，可達七層樓高，長度相當于四個足球場。微芯片在許多方面都是現代經濟的命脈。它們為電腦、智能手機、汽車、電器和其他許多電子產品提供動力。但自疫情以來，世界對它們的需求激增，這也導致供應鏈中斷，導致全……

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FinFET晶體管設計工藝

更新日期： 2022-04-13
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FinFET試圖克服晶體管遇到的最糟糕類型的短溝道效應，同時使芯片能夠以更低的成本實現更高的性能指標。自從半導體取得突破以來，縱觀集成電路設計的歷史，摩爾定律——即一塊硅上的晶體管數量每兩年翻一番，而且將一直保持不變。隨著代工廠開發越來越先進的工藝節點以滿足消費者的需求，當今先進處理器上的晶體管數量達到數百億。這與1970年代中期只有幾千個晶體管的處理器相去甚遠，這在當時是最先進的。推動半導體行業發展并使今天的芯片成為可能的關鍵技術趨勢之一是采用FinFET工藝。另一種有前途的技術是環柵(GAA)

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ZVS零電壓開關反激

更新日期： 2022-04-11
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在傳統以及準諧振反激形式應用中，由于MOS導通時的電壓較高（基本都在150V以上），特別是高壓的輸入條件下，會有較高的開關損耗及DI/Dt造成的EMI干擾，影響系統效率及EMI特性。直到ZVS反激式電路的出現，很好的解決了這些痛點。先從反激應用電路開始分析，再轉到ZVS零電壓開關電路應用一. 反激應用中MOSF……

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關于WLCSP晶圓級芯片封裝技術介紹

更新日期： 2022-04-02
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WLCSP（Wafer Level Chip Scale Packaging）是一種晶圓級芯片封裝方式，有別于傳統的芯片封裝方式（切割、封裝、測試，封裝后原始芯片數量會增加至少20%）。整個晶圓封裝測試后，切割成單個IC顆粒，因此封裝體積與IC裸片原始尺寸相同。 WLCSP封裝方式不僅顯著減小了內存模塊的尺寸，還滿足了移動設備對體空間的高密度要求。另一方面，在性能方面，也提升了數據傳輸的速度和穩定性。

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集成的尺度和維度

更新日期： 2022-04-01
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集成（integration），是指將不同的單元匯聚到一起，并能實現其特定功能的過程，集成多指人類的活動，而非自然的過程。而集成電路、系統集成是比較常見的名詞。本文圍繞集成的尺度（Scale）和維度（Dimension）兩方面來剖析現代電子集成技術。推薦給大家。

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解析 | 淺析大陸電驅動系統EMR4

更新日期： 2022-04-01
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1. 前言隨著電動汽車在市場上的顯著加速，品牌、細分市場和車型的差異也在不斷增加，最大限度地擴大電驅動系統適用性就顯得及其重要。電驅動系統，如大批量生產的EMR3(第三代電驅動系統)和目前正在開發的EMR4，在系統級采用了多標準優化方法進行設計。與上一代相比，EMR4提高了高達5%的效率……

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開關電源內部的各種損耗

更新日期： 2022-04-01
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開關電源內部主要損耗要提高開關電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內部的損耗大致可分為四個方面：開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現，下面將分別討論。與功率開關有關的損耗 ……

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新能源汽車電機控制器 IGBT 模塊的驅動技術

更新日期： 2022-04-01
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本文介紹了大型電動汽車中，電機控制器IGBT模塊驅動電路的設計思路，闡述了IGBT模塊的特性、柵極驅動電路的設計與保護，以及IGBT模塊在正常工作中的電流、電壓、溫度保護，并提供了相應的設計原理和驗證方案。 1. 引言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵……

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