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更新日期： 2023-02-22
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本文刊載于《中國科學院院刊》2023年第2期“科學觀察” 李樹深* 中國科學院半導體研究所半導體……

更新日期： 2023-02-21
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一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產品。這些因素可能導致碳化硅和氮化鎵在整個電子市場上得到更廣泛的采用。　　讓我們探討一下碳化硅和氮化鎵之間的主要區別，這將有助于我們了解何時最有效地應用這些化合物……

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IGBT的發展史及測試

更新日期： 2023-02-21
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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）于20世紀80年代初發明、開發并商業化。器件結構（圖4左側）可以設計為在第一象限和第三象限（對稱IGBT）的結J1和J2處阻斷電壓，或者僅在第一象限（不對稱IGBT）阻斷電壓。IGBT通過使用正柵極偏置創建MOS溝道來工作，該偏置將基極驅動電流輸送到內部寬基極P-N-P雙極晶體管。在同一漂移……

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SiC外延工藝基本介紹

更新日期： 2023-02-20
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外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。由于碳化硅功率……

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十大步驟詳解芯片光刻的流程

更新日期： 2023-02-16
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在集成電路的制造過程中，有一個重要的環節——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現功能。現代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復制一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經過2、3小時……

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碳化硅功率器件技術可靠性！

更新日期： 2023-02-16
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前言：碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的……

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IGBT失效原因及保護方法

更新日期： 2023-02-16
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01 關于 IGBT ……

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SiC MOSFET學習筆記5：車規級功率半導體模塊可靠性標準

更新日期： 2023-02-16
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功率半導體的車規可靠性標準比較多，主要有美國汽車電子委員會的AEC標準（主要是針對晶圓）和歐洲電力電子中心的AQG324（針對模塊）。今天主要復習AQG324這個標準。先討論一個工程邏輯：任何一個新產品，在設計之初就應該考慮其使用的可靠性，設計有缺陷，后期工藝上是很難彌補的，因此，當可靠性測試出現問題時，首先要……

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DC-DC電路的環路補償的調試經驗

更新日期： 2023-02-16
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1、A產品的DC-DC電路受干擾掉電 DC-DC電路設計采用LMR14030芯片實現交流24V轉換成直流5V，給GSM模塊供電，基中LMR14030芯片的EN腳連接一個開關，用于控制電路開關的功能，在小批量生產測試時發現，電路板未安裝外殼的情況下工作正常，安裝外殼后，測試時發現電源會在GSM發送數據時發生掉……

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電源芯片的EN引腳應該如何設計？

更新日期： 2023-02-16
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電機控制板的24V電源在給電機供電的同時也通過DCDC輸出12V給其他電路供電。在沒有電池時，電機發電為控制板供電，而電機的轉動并非是勻速的，產生了波動較大的電壓，如下圖1所示，黃色線為電機反向發電電壓，綠色則為MP2451輸出的電壓。圖1 電機發電曲線和DCDC的輸出曲線由上圖可以看出，電機的……

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光伏微逆變器應用中的拓撲及工作原理分析

更新日期： 2023-02-16
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光伏逆變器中使用典型的反激變換器作為DC/DC部分的拓撲，本文簡要分析反激變換器在光伏微逆中的應用。一．反激變換器的應用概要分析反激變換器一般用于較小功率的降壓應用，典型來說低于幾百瓦左右，它具有較低的輸出電流。在光伏微逆變器應用中，反激變換器作為單極拓撲，它可以把20V-45VDC的PV電池電……

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Chiplet對大陸半導體的戰略意義

更新日期： 2023-02-14
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芯片升級的兩個永恒主題：性能、體積/面積。芯片技術的發展，推動著芯片朝著高性能和輕薄化兩個方向提升。而先進制程和先進封裝的進步，均能夠使得芯片向著高性能和輕薄化前進。面對美國的技術封裝，華為難以在全球化的先進制程中分一杯羹，手機、HPC等需要先進制程的芯片供應受到嚴重阻礙，亟需另辟蹊徑。而先進封裝/Chiplet等技術……

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