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【每日一品】驅動汽車電子系統：薩科微SL30N06D中壓MOS管 SL30N06D在汽車模擬領域的應用

更新日期： 2024-03-18
瀏覽次數： 1261

近年汽車是所有模擬芯片領域中成長最快的細分市場，知名市場調研機構IDC指出，2021年至2025年汽車模擬芯片市場以兩位數13.2%的年復合增長率持續增長。對于這個充滿機遇的汽車模擬市場，本土廠商展現出十分積極的布局態勢，此外，在產品品類方面，國產模擬廠商已經從數字隔離器、通用電源領域，逐步拓展到高低邊開關、電機驅動、……

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【每日一品】薩科微2N7002KW中壓MOS管：助力超聲波電機技術

更新日期： 2024-03-15
瀏覽次數： 1682

微型電機方面的研究現在熱度很高，如何在小體積下做到快速地響應、足夠大的轉矩是行業很關注的方向。這一方向上，超聲波電機成為國內外在微型電機方面的研究熱點。我們熟悉的電機，絕大多數都是以電磁原理為基礎，而超聲波電機完全是另一條技術路線。在技術的發展與迭代下，超聲波電機展現出了低速大轉矩、反應速度快、不受磁場影響、保持力矩大……

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【每日一品】薩科微MMBF170L中壓MOS管：助力新能源汽車技術

更新日期： 2024-03-15
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在過去一年，國產SiC功率器件產品迎來了全面爆發，眾多廠商宣布入局或是推出車規級SiC MOSFET產品，尋求打進汽車供應鏈。SiC（碳化硅）功率器件以其高溫穩定性、高頻特性和低開關損耗等優勢，成為新能源汽車領域的熱門技術。今年春節后的新一輪新能源汽車降價潮更是將800V平臺和SiC電驅技術帶入了20萬元以下的市場，進……

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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應

更新日期： 2024-03-14
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在現代電力電子和集成電路領域，功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為一種重要的功率開關元件，其具有快速、高效的特點，被廣泛應用于各種電源控制和功率放大電路中。在MOSFET中，其體二極管結構在關斷狀態下起著至關重要的作用，其設計旨在實現最小漏極-源極電壓的阻斷，同時保證器件的可靠性和穩定性。

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IGBT模塊封裝壁壘：高可靠性

更新日期： 2024-03-14
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IGBT模塊的封裝技術難度高，高可靠性設計和封裝工藝控制是其技術難點。IGBT模塊具有使用時間長的特點，汽車級模塊的使用時間可達15年。因此在封裝過程中，模塊對產品的可靠性和質量穩定性要求非常高。高可靠性設計需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數、高集成度。

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【每日一品】薩科微IRF540NS中壓MOS管：高性能應用于信息通信技術

更新日期： 2024-03-13
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近日，中國移動宣布，“東數西算”國家工程迎來重大突破——首條400G全光省際骨干網絡正式投入商用，完整項目落地后，能夠大幅提升“東數西算”八大樞紐間的數據傳輸效率。在“東數西算”國家工程的推進過程中，400G全光省際骨干網絡的商用投入無疑是一個重要的節點。這不僅是光通信技術領域的創新成果，更是中國信息通信產業發展的嶄新……

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【每日一品】薩科微SL3422中壓MOS管：高性能應用于智能家居

更新日期： 2024-03-12
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隨著科技的不斷進步，非接觸式技術已經成為智能家居領域中越來越普及和重要的技術手段。這種技術通過無線信號、電磁波感應、雷達探測等多種方式，實現了設備與用戶之間的交互或數據傳輸，無需物理接觸。非接觸式技術的廣泛應用，不僅提高了家居生活的便利性和衛生性，還大幅度提升了智能化程度，為用戶帶來了前所未有的舒適和便捷。非接觸式技術……

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【每日一品】薩科微BSS169中壓MOS管：高性能應用于空間受限設計

更新日期： 2024-03-12
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在通信設備領域，隨著5G時代的到來，對高性能功率半導體的需求急劇增加。5G技術的部署需要大量的功率放大器和射頻器件，這為功率半導體行業帶來了巨大商機。計算機領域則需要高效的功率管理芯片和處理器，以確保系統運行穩定、高效。作為一家專注于功率半導體領域的公司，薩科微（www.xjgouwu.cn）推出了眾多優質產品……

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半導體封裝形式發展簡史（三）

更新日期： 2024-03-09
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自20世紀90年代中期之后，集成電路封裝體的外觀（形狀、引腳樣式）并未發生重大變化，但其內部結構發生了三次重大技術革新，分別為：倒裝封裝技術、系統級封裝技術和晶圓級封裝技術。

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半導體封裝形式發展簡史（二）

更新日期： 2024-03-09
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20世紀80-90年代，集成電路運算速度不斷進步，可集成門電路高達數百萬甚至數千萬只，I/O數量達到數百至1000以上。這種情況下，原來四邊引出的QFP、QFN封裝形式已不能滿足高I/O數量的要求，封裝引腳由周邊型向中央漸進發展成陣列型。20世紀80年代最先發展出的陣列封裝為 PGA（針柵陣列封裝），將芯片封裝成帶有方……

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半導體封裝形式發展簡史（一）

更新日期： 2024-03-09
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自1947年美國電報電話公司（AT&T）發明第一只晶體管開始，半導體封裝也隨之出現。為了便于在電路上使用和焊接，封裝體要有外接引腳；為了固定微小的半導體晶粒，要有用于支撐的底座；為了保護晶粒不受大氣環境等的污染，也為了堅固耐用，就必須有把晶粒密封起來的外殼等。20 世紀50年代，首先出現了以三根引腳的TO（小型晶體管外……

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IGBT簡介、結構及原理

更新日期： 2024-03-09
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所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅……

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