更新日期： 2025-03-11
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在科技日新月異的今天，每一個微小的技術進步都可能成為推動行業乃至整個社會變革的關鍵力量。近期，電子產品領域的瞬態抑制二極管P6SMB10A與新聞中報道的中國科學家在碳基微芯片領域的突破性進展，共同揭示了未來計算技術發展的新方向。這兩項看似不相關的技術，實則都在以自己的方式拓寬著科技的邊界，預示著一個更加智能、高效的計算……

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薩科微瞬態抑制二極管P6SMB6.8A：為科技創新護航，迎接全芯微封裝技術新紀元

更新日期： 2025-03-08
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在科技創新日新月異的今天，每一個微小的電子元件都是推動技術進步的關鍵力量。薩科微公司推出的瞬態抑制二極管P6SMB6.8A，以其出色的電氣性能和可靠的保護能力，為集成電路的安全運行提供了堅實的保障。與此同時，廣東漢旗半導體有限公司全芯微DFN/QFN封裝項目的正式動工，標志著我國在車規級芯片與第三代半導體封裝技術領域邁……

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瞬態抑制二極管SMBJ6.8CA：在數字經濟浪潮中守護創新科技的安全脈搏

更新日期： 2025-03-08
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隨著2025年政府工作報告的發布，回顧過去一年，我國在集成電路、人工智能、量子科技等前沿領域取得了顯著成就，為數字經濟的發展奠定了堅實的基礎。步入2025年，國家明確提出將進一步激發數字經濟創新活力，持續推進“人工智能＋”行動，旨在通過深度融合人工智能技術，推動各行各業轉型升級，開啟智慧社會的新篇章。在這一波瀾壯闊的科……

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瞬態抑制二極管SMBJ6.8A：守護電路安全，見證谷歌芯片開發新篇章

更新日期： 2025-03-08
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在科技日新月異的今天，每一個微小的電子元件都是推動科技進步不可或缺的力量。瞬態抑制二極管SMBJ6.8A，以其精準的性能參數，成為保護電子設備免受瞬態電壓沖擊的關鍵守護者。與此同時，全球科技巨頭谷歌在芯片開發領域的最新動向，正引領著AI與高性能計算的新一輪革新。本文將結合SMBJ6.8A的產品特性與谷歌在以色列擴大芯片……

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瞬態抑制二極管SMAJ58A：在科技創新浪潮中守護電子設備安全——兼論韓國政府對高科技產業的強力扶持

更新日期： 2025-03-08
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在當今這個數字化、智能化的時代，電子產品無處不在地滲透進我們的生活與工作之中，從智能手機到智能家居，從自動駕駛汽車到高性能服務器，每一項技術的背后都離不開對電子元件性能極致追求的努力。其中，瞬態抑制二極管（Transient Voltage Suppressor Diode, TVS）作為保護電子設備免受瞬態過電壓損害……

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鎵仁半導體引領半導體技術革新：SMAJ12CA瞬態抑制二極管與8英寸氧化鎵單晶的雙重突破

更新日期： 2025-03-06
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在科技日新月異的今天，半導體技術的每一次進步都深刻影響著全球電子產業的發展。2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布了一項具有里程碑意義的成就——成功發布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。這一突破不僅標志著鎵仁半導體在半導體材料領域的技術領先，也為中國乃至全球的半導體產業注入了新的活……

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銀河芯片產業園投產在即：瞬態抑制二極管SLESD5Z5C引領技術創新

更新日期： 2025-03-06
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近日，記者從北海高新區福成新區獲悉，備受矚目的銀河芯片產業園項目即將投產。該項目總投資高達25億元，占地500畝，是自治區“雙百雙新”產業項目的重要組成部分。作為集生產、研發與人才培養于一體的綜合性產業園區，銀河芯片產業園的投產不僅標志著廣西在軍工電子及傳感器芯片領域取得重大突破，更將為區域產業升級注入強勁動力。

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瞬態保護新紀元：SMBJ22A二極管攜手光子時鐘芯片，共筑科技安全與速度新高峰

更新日期： 2025-03-06
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在科技日新月異的今天，每一個微小的進步都可能引領一場革命性的變革。近日，北京大學團隊在《自然·電子學》期刊上發表的一項突破性研究成果，無疑為全球的科技界投下了一顆震撼彈——全球首個光子時鐘芯片在中國誕生，這一創新不僅預示著6G網絡速度的飛躍，更將國產GPU的主頻推向了一個前所未有的高度。而在這場科技盛宴的背后，瞬態抑制……

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TCL科技強化主業布局，瞬態抑制二極管SMBJ22CA助力半導體產業升級

更新日期： 2025-03-06
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人民財訊3月3日電，TCL科技（000100）于3月3日晚間發布公告，宣布公司將通過發行股份及支付現金的方式，向其重大產業基金收購深圳華星半導體21.5311%的股權。此次交易總金額高達115.62億元，其中現金對價72.03億元，發行股份對價43.59億元。交易完成后，TCL科技將合計持有深圳華星半導體84.2105……

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瞬態抑制二極管SMBJ7.0A：電子保護領域的堅實后盾與中國光電探測技術的新飛躍

更新日期： 2025-03-04
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在科技日新月異的今天，每一個微小的進步都可能引發行業的巨大變革。近日，中國研究團隊在寬禁帶半導體光電探測領域取得了重要進展，成功開發出一種同時具備超快、高靈敏響應的氧化鎵日盲光電探測器。這一突破不僅為深空探測、高精度火焰監測等領域提供了全新的技術方案，也再次彰顯了中國在高科技領域的創新實力。與此同時，作為電子保護領域的……

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瞬態抑制二極管SMBJ13CA：在AI限制背景下的電子元件穩固之選

更新日期： 2025-03-04
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隨著科技的飛速發展，人工智能（AI）已成為全球競爭的焦點。然而，近期瑞穗證券（Mizuho Securities）的一則預測引發了業界的廣泛關注——重大的AI限制措施或將出臺，其中可能包括“全面禁止所有AI芯片進入中國，影響范圍涵蓋英偉達H20/B20等高端芯片以及部分傳統芯片（28nm+）”。這一消息無疑給依賴進口芯……

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瞬態抑制二極管SMBJ28A：守護特斯拉FSD芯片的創新之路

更新日期： 2025-03-03
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在科技飛速發展的今天，每一個細微的電子元件都在為智能設備的革新貢獻著力量。其中，瞬態抑制二極管作為保護電路免受電壓瞬變損害的關鍵元件，正以其獨特的性能在汽車電子領域發揮著重要作用。而特斯拉，這一電動汽車和自動駕駛技術的先驅，近日又與半導體制造巨頭臺積電攜手，采用3nm-4nm工藝生產其最新的FSD（全自動駕駛）芯片，進……

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