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SiC在大功率充電樁的應用,三個不同功率參考設計(2)

發布時間:2023-03-29作者來源:芯小二的下午茶瀏覽:2962


今天續上篇,聊聊SiC及SiC在大功率充電樁應用的優勢,以及基于SiC的25KW/30KW/50KW的參考設計,國產SiC廠商的情況;小二水平有限,歡迎大家補充;

目錄:

  • 什么是SiC

  • SiC的優勢及芯片

  • 25KW/30KW/50KW充電樁模塊參考設計

  • 國內SiC功率器件公司



1

什么是碳化硅(SiC)


三代半導體,相信你肯定聽過,這里的代,是基于使用的半導體材料不同劃分,不像2G/3G/4G通信有新一代取代舊一代的情況; 


[敏感詞]代半導體,以硅(Si),鍺(Ge)材料為代表,是目前邏輯器件的基礎,這幾年的通信領域的硅光芯片,也是基于硅;


第二代半導體,以砷化鎵(GaAs),磷化銦(InP)為代表,小二不是很清楚;


第三代半導體,則是以碳化硅(SiC),氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體材料,在功率芯片上具有獨特優勢,近年得到廣泛的應用;



這里,順帶也解釋下,類似Si,SiC的材料,具體是如何形成芯片的;


大家應該經常聽到晶圓,也應該聽過硅晶圓是拉出來的,包括Si,SiC其實就是組成晶圓的材料;



而晶圓到芯片,就像水泥到房子,是物理和化學反應的生產過程;


以下圖MOSFET管子為例


圖片

圖中[敏感詞]部分就是SiC材料,在這個材料上,通過挖坑(掩模,腐蝕),填坑(離子注入等)的方式,在不同的SiC材料上添加不同的離子成分,形成G-D-S不同的極,最后通過封裝工藝,形成最后的芯片;


2

SiC的優勢及芯片


下表是不同半導體材料的特性:可以看到



圖片

Energy Gap,禁帶寬度反應的是價電子要成為自由電子所需要的能力,SiC是Si的接近3倍,禁帶寬度越寬,耐受高溫和高壓能力越強,反向漏電流越小,抗輻射能力越強;


Breakdown Field,絕緣擊穿場強,SiC是Si的10倍,SiC能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現更高耐壓;


Thermal Conductivity,導熱率,SiC是Si的3倍,熱阻更小,熱擴散能力更好,可以做到更高功率密度;


Saturation Drif Velocity,飽和漂移速率,值越高,開關速度更快



綜上,基于SiC材料的器件,可以實現 "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 三個特性。


目前,基于SiC的功率器件主要兩大類:SiC-MOSFET和SiC-SBD


[敏感詞]類:SiC-MOSFET


基于Si的器件,耐壓越高,單位面積的導通電阻也越大(以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的電壓中主要采用IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)。

IGBT通過電導率調制,向漂移層內注入作為少數載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數載流子的積聚,在關斷時會產生尾電流,從而造成極大的開關損耗。

SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低,不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET實現高耐壓和低阻抗,而MOSFET原理上不產生尾電流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT時,能夠明顯地減少開關損耗,并且實現散熱部件的小型化。

另外,SiC-MOSFET能夠在遠高于IGBT的開關頻率下工作,從而也可以實現無源器件的小型化。



第二類:SiC-SBD


基于Si的快速PN結二極管(FRD:快速恢復二極管)在從正向切換到反向的瞬間會產生極大的瞬態電流,在此期間轉移為反向偏壓狀態,從而產生很大的損耗。

這是因為Si-FRD正向通電時積聚在漂移層內的少數載流子不斷地進行電傳導直到消亡(該時間也稱為積聚時間)。

正向電流越大,或者溫度越高,恢復時間和恢復電流就越大,從而損耗也越大。

與此相反,SiC-SBD是不使用少數載流子進行電傳導的多數載流子器件(單極性器件),因此原理上不會發生少數載流子積聚的現象。

由于SiC-SBD只產生使結電容放電程度的小電流,所以與Si-FRD相比,能夠明顯地減少損耗。而且,該瞬態電流基本上不隨溫度和正向電流而變化,所以不管何種環境下,都能夠穩定地實現快速恢復。


如下是實際使用硅(Si) IGBT及碳化硅(SiC) MOSFET的功耗損失對比


圖片

圖片來自羅姆官網



3

25KW/30KW/50KW充電模塊參考設計


如下是Onsemi推出的基于SiC的25KW 充電模塊參考設計



Onsemi的設計采用了


- 三相六開關的PFC,開關頻率在150kHz

- 雙有源全橋DCDC,開關頻率在100kHz


控制芯片采用了Zynq-7000 SoC FPGA,前后級各一顆;


SiC模塊,驅動,采樣及輔助電源芯片如下:


圖片

如下是Onsemi微信公眾號的全中文版本的設計系列,“基于SiC的25KW快速直流充電樁系統設計”


從應用概述到方案概述,仿真,設計等一條龍;


https://mp.weixin.qq.com/mp/appmsgalbum?action=getalbum&__biz=MzI5MjM3MzU3NA==&scene=1&album_id=2759840207167864833&count=3#wechat_redirect




這是WolfSpeed的三相交錯LLC DC-DC變換器,30KW功率,設計采用了1200V C3M SiC MOSFETs (C3M0040120K) and 650V C6D SiC Schottky Diodes (C6D20065D and C6D10065A)


圖片

此外:


SiC MOSFET驅動芯片:采用了TI的UCC5350MC

DSP芯片:采用了TI的TMS320F28377DPTPT

開關頻率:130kHz-250kHz



設計資料可以從這個鏈接獲取:


CRD30DD12N-K 30kW Discrete Interleaved LLC DC-DC Converter | Wolfspeed




這是Infineon的50KW充電模塊拓撲,SiC器件及開關頻率信息


PFC采用了三相Boost PFC維也納架構,DCDC采用了全橋LLC諧振轉換器


圖片


4

國內SiC功率器件廠家介紹

先做個聲明,這里介紹的公司,不是對其產品的推薦,而是從網絡及平常交流獲取的相關信息分享



瞻芯電子,拿到了小鵬汽車的戰略融資,自建了符合IATF16949的6寸SiC晶圓廠,目前已經發布的產品有SiC MOSFET,SiC SBD,SiC Module,Gate Driver,Controller;


這家公司在PCIM的文章分享還是令人深刻;



圖片



派恩杰半導體,成立于2018年的派恩杰半導體,從成立之初就聚焦于碳化硅MOSFET,緊鑼密鼓布局車規級半導體芯片,并已順利“上車”,產品已應用于汽車OBC等領域,其和X-FAB晶圓代工廠戰略合作;


如下是其產品發布軸





數明半導體,成立于2013年,專注于工業、汽車、能源領域的驅動芯片、電源管理及智能光伏芯片、接口與信號鏈芯片的研發。其研發出國內[敏感詞]兼容光耦帶DESAT保護功能的IGBT/SiC隔離驅動器;



華潤微電子,是華潤微電子有限公司是華潤集團旗下負責微電子業務投資、發展和經營管理的高科技企業,曾先后整合華科電子、中國華晶、上華科技、中航微電子等中國半導體企業,經過多年的發展及一系列整合,公司已成為中國本土具有重要影響力的綜合性半導體企業,自2004年起多年被工信部評為中國電子信息百強企業。


目前華潤微發布了650V/1200V的SiC SBD


圖片



湖南三安,是全球第三家具備碳化硅全鏈整合能力的企業,提供襯底、外延、芯片、封裝及模塊等[敏感詞]工制造服務,具備成熟的大規模制造經驗和質量管理能力,實現產能以及質量驗證的全鏈管控能力。目前已實現月產能12,000片,達產后將實現年產能500,000片碳化硅6寸晶圓



湖南三安發布了[敏感詞]的1200V碳化硅MOSFET系列,包含1200V 80mΩ/20 mΩ/16mΩ,均來自湖南三安自主可靠的六寸全鏈整合平臺。系列產品在比導通電阻特性,擊穿電壓特性和閾值電壓穩定性上,測試顯示出對比友商更為優越的結果,能有效提高電驅動系統的效率和可靠性,在后續導入客戶的過程中具備顯著的優勢。



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