在當今快速發展的電子時代，高性能電子設備的穩定性和可靠性成為了市場競爭的關鍵因素。隨著各類電子設備功能日益復雜，它們對電路保護元件的需求也日益提升。瞬態抑制二極管（Transient Voltage Suppressor Diode），作為一種重要的電路保護元件，正發揮著越來越重要的作用。今天，我們將重點介紹一款雙向瞬態抑制二極管——SMF28CA，并結合同光半導體年產20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目的啟動新聞，探討這一創新產品背后的技術實力與行業影響。

薩科微Slkor瞬態抑制二極管SMF28CA產品圖

SMF28CA瞬態抑制二極管以其獨特的性能和廣泛的應用領域，成為了市場上備受矚目的產品。該二極管的極性為雙向，意味著它能夠在正向和反向電壓下均提供有效的瞬態電壓抑制。其反向截止電壓（Vrwm）為28V，確保了在正常工作電壓下二極管處于高阻態，不會對電路產生干擾。而擊穿電壓范圍在31.1V至34.4V之間，使得二極管在遭遇瞬態過電壓時能夠迅速導通，將電壓鉗制在一個安全水平。

薩科微Slkor瞬態抑制二極管SMF28CA規格書

值得注意的是，SMF28CA的反向漏電流（Ir）僅為4.4μA，這大大減少了在正常工作條件下的功耗，提高了電路的能效。更重要的是，該二極管在10/1000μs的脈沖寬度下，能夠承受高達45.4A的峰值脈沖電流（Ipp），并且[敏感詞]鉗位電壓僅為1V，這意味著在[敏感詞]瞬態條件下，它能夠迅速有效地將電壓降低到安全水平，保護電路不受損壞。此外，其峰值脈沖功率（Ppp）在相同脈沖寬度下達到了200W，進一步增強了其應對高能量瞬態沖擊的能力。

薩科微Slkor瞬態抑制二極管SMF28CA相關參數

SMF28CA的這些卓越性能，得益于先進的半導體材料和制造工藝。而作為半導體材料領域的領軍企業，同光半導體近期宣布啟動年產20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目，無疑為包括瞬態抑制二極管在內的眾多高性能半導體器件的制造提供了強有力的支持。該項目預計總投資8.82億元，不僅彰顯了同光半導體在技術創新和產能擴張上的堅定決心，也預示著中國半導體材料產業將迎來一次質的飛躍。

碳化硅（SiC）作為一種新型半導體材料，以其高擊穿電場強度、高熱導率、高飽和電子漂移速度等特性，在高壓、高頻、高溫等[敏感詞]條件下展現出比傳統硅材料更優異的性能。因此，碳化硅單晶襯底被廣泛應用于制造高性能功率器件，如MOSFET、IGBT以及瞬態抑制二極管等。同光半導體的這一項目，將極大提升我國碳化硅單晶襯底的自給率，降低對進口材料的依賴，從而推動整個半導體產業鏈的自主可控發展。

結合SMF28CA瞬態抑制二極管和同光半導體的碳化硅項目來看，我們可以清晰地看到，技術創新和材料升級是推動電子產品性能提升和產業升級的重要動力。SMF28CA以其卓越的保護性能和廣泛的應用前景，成為了電子設備電路保護的理想選擇；而同光半導體的碳化硅項目，則為高性能半導體器件的制造提供了堅實的基礎和廣闊的前景。我們有理由相信，在未來的電子市場中，以SMF28CA為代表的瞬態抑制二極管和碳化硅基半導體器件將發揮越來越重要的作用，引領電子產品向更高效、更可靠、更智能的方向發展。

薩科微slkor瞬態抑制二極管（TVS）

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