在之前舉辦的“2021CIAS中國(guó)國(guó)際車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體年會(huì)”上，復(fù)旦大學(xué)雷光寅博士做了一個(gè)題為《碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車電機(jī)控制器中的應(yīng)用》的演講，主要從SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)優(yōu)勢(shì)；電控研發(fā)重點(diǎn)與挑戰(zhàn)；發(fā)展方向與展望這三個(gè)方向做了詳細(xì)的報(bào)告。  
        復(fù)旦大學(xué)雷光寅博士      
    在報(bào)告中，雷光寅博士大膽預(yù)測(cè)未來SiC MOSFET將逐步取代部分Si IGBT作為驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器中的主功率器件；在提升效率的同時(shí)，電控的發(fā)展方向是更高的功率密度及更高的系統(tǒng)集成；國(guó)內(nèi)SiC設(shè)計(jì)和制造進(jìn)展快速，器件特性達(dá)到或接近國(guó)際領(lǐng)先水平，SiC MOSFET量產(chǎn)即將到來。

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