最近，韓國(guó)多家半導(dǎo)體廠商啟動(dòng)了化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，三星、SK Siltron及DB HiTek等多家企業(yè)正積極參與其中，重點(diǎn)發(fā)展GaN技術(shù)，打造韓國(guó)化合物功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。

6月28日，據(jù)多家韓媒報(bào)道，三星電子、SK Siltron、韓國(guó)東部高科（DB HiTek）以及無(wú)晶圓廠ABOV Semiconductor共同簽署了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)協(xié)議（MOU），共同致力于“化合物功率半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目”。

據(jù)介紹，韓國(guó)政府將從今年到2028 年，計(jì)劃提供1385 億韓元（約7.2億人民幣）的資金支持以推進(jìn)該項(xiàng)目，其中包括 939 億韓元的政府資金和 446 億韓元的私人投資；技術(shù)支持方面，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)技術(shù)規(guī)劃和評(píng)估研究院（KITIE）將為參與機(jī)構(gòu)提供研發(fā)支持。

“行家說三代半”了解到，該項(xiàng)目將首先聚焦GaN功率半導(dǎo)體的研發(fā)，三星電子、SK Siltron及DB HiTek均公開表示，要把GaN業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化：

● 去年6月，三星電子代工部門總裁崔時(shí)英在三星代工論壇上宣布，他們將從2025年開始建設(shè)8英寸氮化鎵化合物功率半導(dǎo)體代工廠；在參與該項(xiàng)目后，三星電子再次重申了這一戰(zhàn)略目標(biāo)，目標(biāo)是基于其深厚的LED開發(fā)經(jīng)驗(yàn)來攻克氮化鎵功率半導(dǎo)體。

● SK Siltron也開始通過其子公司SK KeyFoundry（啟方半導(dǎo)體）開發(fā)和量產(chǎn)GaN半導(dǎo)體。約半個(gè)月前，SK KeyFoundry宣布已獲得8英寸650V 氮化鎵 HEMT 的器件特性，并計(jì)劃在今年內(nèi)完成開發(fā)。

● 今年5月，DB HiTek宣布將在今年第三季度引進(jìn)氮化鎵器件生產(chǎn)所需的相關(guān)設(shè)備，并在今年年底前完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)該GaN代工廠將從明年年初開始運(yùn)營(yíng)。

早在2023年Q3，上述企業(yè)就已和愛思強(qiáng)達(dá)成設(shè)備采購(gòu)合作，紛紛采購(gòu)愛思強(qiáng)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備，目標(biāo)是在2025年至2026年將8英寸GaN代工服務(wù)商業(yè)化。下一步，他們還將擴(kuò)大功率半導(dǎo)體陣容，未來將進(jìn)軍SiC芯片制造服務(wù)市場(chǎng)。

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