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又一GaN工廠被收購(gòu)!誰(shuí)出手?

發(fā)布時(shí)間:2022-03-17作者來(lái)源:薩科微瀏覽:3409

前段時(shí)間,英國(guó)一家GaN晶圓廠被中國(guó)企業(yè)收購(gòu),昨天,日本一家GaN晶圓廠也被收購(gòu)。

收購(gòu)富士通晶圓廠

股權(quán)反而下降一半?

8月2日晚上, Transphorm 宣布完成了一項(xiàng)交易——成功收購(gòu)了 AFSW 晶圓廠100%權(quán)益。

Transphorm是一家GaN制造商,成立于2007年。而AFSW晶圓廠是Transphorm與富士通在2013年合資建設(shè)的子公司,主要生產(chǎn)高壓GaN功率半導(dǎo)體晶圓。

據(jù)公告,這筆交易是透過(guò)GaNovation公司完成的,GaNovation是Transphorm與JCP Capital最近成立的合資公司

交易完成后,富士通半導(dǎo)體從AFSW晶圓廠退出,此前它持有AFSW晶圓廠51%股權(quán)。

有趣的是,Transphorm持有的AFSW股權(quán)也從之前的49%,降為25%,而這部分股權(quán)還是因?yàn)門ransphorm持有GaNovation25%所有權(quán)。

也就是說(shuō),這次交易是JCP Capital出錢,GaNovation從富士通和Transphorm手里收購(gòu)了AFSW晶圓廠的所有股權(quán)。

Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人兼總裁Primit Parikh表示,這將使Transphorm對(duì)AFSW的直接資本支出減少約50%,從而提高 P&L效率,“繼續(xù)我們的輕資產(chǎn)垂直整合模式”。

根據(jù)Transphorm2020年6月公告,在2020前6個(gè)月和2019年,AFSW的營(yíng)收分別為178.6萬(wàn)美元(約1154萬(wàn)人民幣)和628.1萬(wàn)美元(約4058萬(wàn)人民幣),凈虧損分別為668.4萬(wàn)美元(約4318萬(wàn)人民幣)和454.5萬(wàn)美元(約2936萬(wàn)人民幣)。

為此,Transphorm分別向AFSW提供了340萬(wàn)美元(約2197萬(wàn)人民幣)270萬(wàn)美元(約1744萬(wàn)人民幣),以資助AFSW的工廠運(yùn)營(yíng)。 

而2020年1-3月Transphorm的營(yíng)收僅為110萬(wàn)美元(約712萬(wàn)人民幣),去年整個(gè)財(cái)年的營(yíng)收約為8200多萬(wàn)人民幣

引入JCP Capital,除了解決資金和股權(quán)問(wèn)題外,AFSW還有望擴(kuò)產(chǎn)。據(jù)介紹,在未來(lái)幾年,GaNovation將為AFSW帶來(lái)大量資金,以擴(kuò)大GaN晶圓制造能力,而且JCP Capital還將利用他們的投資組合生態(tài)系統(tǒng),和Transphorm一起發(fā)展 GaN 產(chǎn)品業(yè)務(wù),尤其是在GaN快速充電器和適配器領(lǐng)域。

富士通圖什么?

富士通和Transphorm的淵源很深,Transphorm的創(chuàng)辦得益于富士通的資助,累計(jì)從富士通等投資者那里籌集了約2.2億美元(約14億人民幣)風(fēng)險(xiǎn)資本。

Transphorm在一條試產(chǎn)線上開(kāi)發(fā)了600V的高壓硅基氮化鎵后,為了將這些技術(shù)量產(chǎn),2013年富士通與Transphorm在日本合資成立了AFSW,以建設(shè)兼容硅CMOS工藝的6 英寸代工廠。AFSW與Transphorm簽訂[敏感詞]合同,負(fù)責(zé)處理晶圓加工。

據(jù)介紹,富士通將GaN功率器件的聯(lián)合設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)資產(chǎn)以及知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)讓給AFSW,對(duì) Transphorm 進(jìn)行實(shí)物投資,以獲得等值的Transphorm股份

同時(shí),富士通還把GaN功率器件員工分配到AFSW,與Transphorm員工一起進(jìn)行開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)工作。

2015年1月,Transphorm和富士通宣布,AFSW的6英寸晶圓線開(kāi)始量產(chǎn)電源用氮化鎵功率器件。

根據(jù)Transphorm,AFSW是[敏感詞]一家報(bào)告了硅基GaN高壓器件缺陷密度的GaN代工廠,其缺陷密度與廠內(nèi)的硅CMOS/雙極技術(shù)相似——FIT 率< 1.0,現(xiàn)場(chǎng)故障率< 3.3 dppm。

有了這項(xiàng)技術(shù),Transphorm與汽車供應(yīng)商MARELLI、安川電機(jī)等企業(yè)建立戰(zhàn)略聯(lián)盟,將氮化鎵應(yīng)用于車載充電器、汽車逆變器、電機(jī)逆變器和快充等領(lǐng)域。

不過(guò),2020年4月1日,富士通通知Transphorm,打算將其持有的AFSW 51%權(quán)益出售給Transphorm,退出這家合資企業(yè)。

根據(jù)公告,這似乎與富士通此前的承諾有關(guān),但具體富士通在其中有哪些收獲還未可知。





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