如何正確選擇 MOS管？需要注意哪些細節？

?? MOS管由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于壓控半導體器件，具有輸入電阻高10^7~10^12Ω）、低噪聲、低功耗、動態范圍大、易集成、無二次擊穿、安全工作區寬等優點，現已成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭者。
??1)用N溝道或P溝道？

??選擇一個好的MOS晶體管器件的[敏感詞]步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的電源應用中，當MOS管接地并且負載連接到電源電壓時，MOS管就構成低壓側開關。在低壓側開關中，考慮到關斷或接通器件所需的電壓，應采用N溝道MOS管。當MOS管連接到總線并且負載接地時，就使用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。

??2)確定MOS管的額定電流

??額定電流應該是負載在任何情況下都能承受的[敏感詞]電流。與電壓情況類似，即使系統產生峰值電流，也要確保所選的MOS晶體管能夠承受此額定電流。考慮的兩種電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOS晶體管處于穩定狀態，電流持續流過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的[敏感詞]電流，只需直接選擇能夠承受該[敏感詞]電流的器件。

??3)選擇MOS管的下一步是系統的散熱要求。

??必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用最壞情況的計算結果，因為這個結果提供了更大的安全裕度，可以保證系統不會出現故障。

??4)選擇MOS管的最后一步是確定MOS管的開關性能。

??影響開關性能的參數很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極和漏極/源極電容。這些電容會導致器件的開關損耗，因為每次開關時都要充電。因此，MOS管的開關速度降低，并且器件效率也降低。為了計算開關過程中器件的總損耗，應計算開關過程中的損耗(Eon)和開關過程中的損耗(Eoff)。

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