薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環(huán)節(jié)。薄膜沉積技術(shù)是以各類適當(dāng)化學(xué)反應(yīng)源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅(qū)動下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應(yīng)基團(tuán)等在襯底表面進(jìn)行吸附，并在適當(dāng)?shù)奈恢冒l(fā)生化學(xué)反應(yīng)或聚結(jié)，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導(dǎo)體材料薄膜。芯片是微型結(jié)構(gòu)體，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是3D立體式形態(tài)，襯……

1、CMP工藝簡介 CMP（Chemical Mechanical Polishing）化學(xué)機(jī)械拋光，是一個將晶圓表面打磨得光滑平整的過程。想象您在打磨一塊寶石，除了手工的磨削，您還往上滴幾滴特制的藥劑，使其快變得光滑，這就是CMP工藝的縮影，它通過化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械力的配合，將晶圓表磨削到所需的平整度。 ……

MOSFET的單位面積導(dǎo)通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產(chǎn)品參數(shù)展示的關(guān)鍵指標(biāo)，也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術(shù)能力的關(guān)鍵指標(biāo)。 通常來說，MOS管的單位面積導(dǎo)通電阻值和優(yōu)值系數(shù)值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關(guān)注優(yōu)值系數(shù)，單位面積導(dǎo)通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關(guān)系，因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導(dǎo)通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標(biāo)。 單位面積導(dǎo)通電阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件導(dǎo)通狀態(tài)下，

1、第三代半導(dǎo)體特性 (1)碳化硅 根據(jù)《中國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場強(qiáng)度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。 ②耐高溫：半導(dǎo)體器件在較高的溫度下……

瀾起科技：成立于2004年，2019年上市，擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺兩大產(chǎn)品線。瀾起科技是國際領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設(shè)計公司。 行業(yè)地位：瀾起科技的內(nèi)存接口芯片作為連接CPU和內(nèi)存的“高速公路”,是服務(wù)器內(nèi)存模組的必配芯片，已成功進(jìn)入國際主流內(nèi)存、服務(wù)器和云計算領(lǐng)域,產(chǎn)品性能和質(zhì)量受到市場及行業(yè)……

CMOS圖像傳感器根據(jù)感光元件安裝位置，主要可分為前照式結(jié)構(gòu)(FSI)背照式結(jié)構(gòu)(BSI)。 在背照式結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，還可以進(jìn)一步改良成堆棧式結(jié)構(gòu)(Stacked)。堆棧式結(jié)構(gòu)系在背照式結(jié)構(gòu)將感光層僅保留感光元件的部分邏輯電路的基礎(chǔ)上進(jìn)行進(jìn)一步改良，在上層僅保留感光元件而將所有線路層移至感光元件的下層，再將兩層芯片疊在一起，芯片的整體面積被極大地縮減。此外，感光元件周圍的邏輯電路也相應(yīng)移至底層，可有效抑制電路噪聲從而獲取更優(yōu)質(zhì)的感光效果。 采用堆棧式結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器可在同

1. 背景知識 在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。 MOSFET，全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一種非常重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個開關(guān)，……

固態(tài)硬盤組成主要包括主控芯片、NAND 閃存顆粒。其中主控芯片是固態(tài)硬盤的核心器件，負(fù)責(zé)與整機(jī)CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)通信以及NAND 閃存顆粒數(shù)據(jù)管理，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、服務(wù)器、工業(yè)控制等領(lǐng)域。 固態(tài)硬盤主控芯片與其配套固件（FW）一起，實現(xiàn)對固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)管理、NAND壞塊管理、NAND數(shù)據(jù)糾錯、NAND壽命均衡、垃圾……

1、紅外線及紅外成像的概念 光在本質(zhì)上屬于電磁波，根據(jù)波長不同可以分為無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構(gòu)造形成的視覺性能限制，人類只能對波長在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進(jìn)行感知，無法通過直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。 光電成像技術(shù)是通過光學(xué)……

退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關(guān)重要的角色。 1. 退火工藝的定義 退火（annealing）是一種熱處理工藝……

硅晶棒切割技術(shù)涉及多個方面的技術(shù)難點(diǎn)，需要綜合考慮機(jī)械、材料、熱力學(xué)、流體力學(xué)等多學(xué)科的知識，才能實現(xiàn)高效、高質(zhì)量的硅片切割。 硅晶棒切割是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步，其技術(shù)難點(diǎn)主要集中在以下幾個方面： 1. 切割精度 切割硅晶棒需要高度精確，以確保每片硅片的厚度一致。切割過程中的……

光刻機(jī)按光源類型可分為五類：I-line光刻機(jī)、KrF光刻機(jī)、ArF光刻機(jī)、ArFi光刻機(jī)（即ArF浸沒式光刻機(jī)，與ArF光刻機(jī)相比在曝光過程中在投影物鏡和晶圓之間放置了一層水膜）、EUV光刻機(jī)。按照應(yīng)用領(lǐng)域可分為IC前道光刻機(jī)和IC后道光刻機(jī)。其中，IC前道光刻機(jī)主要應(yīng)用于芯片制造，而后道光刻機(jī)主要用于芯片封裝。 ……