1. Defect “Defect”指的是在晶圓生產過程中出現的缺陷，可能是由于工藝不穩定、設備問題或材料瑕疵導致的。這些缺陷可能包括顆粒污染、圖形失真、晶體結構破損等，都會影響最終產品的質量。 通俗解釋：就是生產過程中出現的“瑕疵”或“不良”，這些問題可能影響芯片的正常功能。 2. Fail ……

RIE干法刻蝕技術憑借其優越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導體制造中不可或缺的核心工藝。 一、RIE干法刻蝕技術的基本原理 RIE（Reactive Ion Etching，反應離子刻蝕）作為一種主流的干法刻蝕技術，通過等離子體中的活性物質對材料表面進行選擇性刻蝕，以達到精確移除材料的目的。 圖：干法刻蝕概要 RIE刻蝕技術屬于一種等離子體輔助的干法刻蝕工藝?？涛g過程中，通過在反應腔內引入刻蝕氣體并施加射頻電場，在電場作用下刻蝕氣體被電離和激發，形成等離子體

在半導體制造和晶圓工藝設備維護中，"Second Source"（二次來源）指的是使用非原廠供應商生產的零件或耗材來替代原廠零件。這種策略有助于降低成本、減少對單一供應商的依賴，同時確保制造的持續性和靈活性。 1. 什么是Second Source？ Second Source是指在生產制造過程中，為了降低……

SPC (Statistical Process Control) 是晶圓生產工藝中非常重要的工具，用于監控、控制和改進制造過程中各個環節的穩定性。 1. SPC 系統的概述 SPC 是一種通過統計方法監控和控制制造過程的方法。其核心是通過實時數據的采集和分析來檢測生產過程中是否有異常情況發生，從而幫助工程師做出及時的調整和決策。SPC的目標是在生產過程中減少變異，確保產品質量穩定并符合規格。 SPC在蝕刻工藝中用于： 監控關鍵設備參數（如蝕刻速率、RF功率、腔體壓力、溫度等）

硅片是現代電子產業的核心材料，廣泛應用于集成電路、太陽能電池、MEMS等領域。硅片（wafer）的生產工藝對其質量、性能和后續的應用至關重要。硅基集成電路工藝中，硅片的純度、摻雜濃度、晶體結構等參數會直接影響到器件的性能。在硅片生產中，最常用的兩種工藝是直拉法（Czochralski，簡稱CZ法）和區熔法（Float-……

離子注入過程就像是一個高速公路上的投射系統，從離子源開始“起步”，通過加速和質量分離進行挑選，經過加速通道達到高速，然后通過鏡頭和偏轉裝置精準瞄準，最終將晶圓作為終點，精準完成摻雜。離子注入機（Ion Implanter）的組成如下： 1. 離子源（Ion Source） 離子源是離……

在硅基集成電路生產過程中，硅片（wafer）是關鍵材料之一。硅片的直徑和大小在整個生產工藝中起著至關重要的作用。硅片的尺寸不僅決定了可以生產的芯片數量，也對成本、產能和質量有直接影響。 一、硅片尺寸的歷史發展 集成電路生產的早期，使用的硅片直徑較小。1960年代中期，硅片的直徑通常是25毫米（1英寸……

擴散（Diffusion）是晶圓制造過程中至關重要的工藝步驟之一，尤其是在半導體制造中，用于摻雜硅基材料。這一過程是通過擴散將特定的摻雜物（如磷、硼、砷等）引入硅晶圓，以調整其導電性。 1. 擴散的基本原理 擴散，是指分子從高濃度區域向低濃度區域移動的過程。在晶圓制造中，擴散的對象是摻雜物（例如砷、磷或硼等……

1. 硅片制造 高質量硅片的生產從單晶硅錠開始，經過多道工藝步驟，包括切片、表面處理和精加工。其中，線鋸切割是將大尺寸的圓柱形硅錠切割成薄片（即硅片）的關鍵步驟。 線鋸切割是確保硅片具有所需厚度和平整度的關鍵步驟，同時還能盡量減少材料損耗和缺陷。這一過程需要在切割速度、精度和表面質量之間找到平衡。 2……

1. 概述 失效分析是確保集成電路和微電子器件可靠性、優化制造工藝的重要環節。隨著技術的進步，特別是進入5nm、7nm等先進工藝節點后，器件失效模式變得更為復雜，要求我們使用各種高精度的分析工具進行失效定位和機理分析。原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，簡稱AFM）就是其中一種重要的分析……

晶圓清洗（Wet Clean）是半導體制造工藝中至關重要的步驟之一，其目的是去除晶圓表面的各種污染物，確保后續工藝步驟能夠在潔凈的表面上進行。 圖：批量的晶圓清洗 隨著半導體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術要求也日益嚴苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機物、金屬離子或氧化物殘留……

datasheet是芯片的使用說明書，里面有芯片的產品簡述、功能描述、特點、應用、封裝、管腳圖、內部框圖、極限參數、電氣參數等信息。今天，我們就來聊聊一款功能強大、特點豐富的三相無刷電機驅動芯片。我們會以一個輕松有趣的方式，分步驟地剖析其datasheet，讓大家對這款芯片有一個全面而深入的了解。