電子資訊

分享半導體行業媒體最新資訊，開展行業的技術交流、思想碰撞、信息互換、資料查詢等，以市場趨勢為導向、以客戶滿意為結果，銳意進取持續發展。

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 1229

1. DRAM的基本概念 DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一種存儲數據的半導體器件，廣泛應用于計算機和其他電子設備中。圖：存儲芯片分類與SRAM（靜態隨機存取存儲器）不同，DRAM需要周期性地刷新來保持存儲的數據，這就是“動態”的含義。每個DRAM單元……

查看詳情 >>

聊聊高壓CMOS工藝

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 1013

高壓CMOS (HVCMOS) 是一種專門為處理高電壓應用而設計的CMOS技術。HVCMOS技術因其能夠處理高壓且同時具備低壓CMOS電路的所有優勢，使其在現代電子設備的各個領域中成為不可或缺的技術。無論是電源管理、汽車電子還是其他需要高壓處理的場景，HVCMOS都提供了一種高效、可靠的解決方案。 1. 基礎CM……

查看詳情 >>

晶圓制造之化學氣相沉積CVD工藝

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 1259

在制造集成電路時，有時候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學氣相沉積（CVD）這種方法。 CVD的原理是：我們將含有所需元素的氣體引入到反應室中，然后通過加熱讓這些氣體分解。雖然氣體不直接與晶圓表面……

查看詳情 >>

寸土寸金的晶圓為啥要留平邊（flat）或凹槽（notch）？

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 1557

晶圓上留下的平邊（flat）或凹槽（notch）主要用于幫助在制造和處理過程中確定晶圓的類型、摻雜和晶向等信息。 1. 晶圓的晶向識別硅晶圓是由單晶硅錠通過切片制成的，硅晶錠的晶向（晶體結構排列的方向）對于半導體器件的性能和加工工藝非常重要。晶向包括常見的（100）、（110）和（111）晶向，不……

查看詳情 >>

一文讀懂先進封裝的四大要素？TSV、Bump、RDL、wafer

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 1572

先進封裝的四大要素——TSV（硅通孔）、Bump（凸點）、RDL（重布線層）、Wafer（晶圓）——在現代半導體封裝中扮演了核心角色。它們在封裝工藝中各自承擔的功能，從不同維度推動了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer（晶圓）：基礎材料和封裝載體 Wafer 是先進封裝的基礎，作為芯片……

查看詳情 >>

聊聊光刻機的原理、現狀與未來

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 1263

光刻機是半導體制造過程中的關鍵設備，相當于芯片制造工藝的“印刷機”，它的精度直接影響芯片的制程和性能。根據不同光源類型，光刻機可以分為UV（紫外線）、DUV（深紫外線）和EUV（極紫外線）三大類。光刻機的分辨率主要由兩個參數決定：光源的波長（λ）和物鏡系統的數值孔徑（NA）。簡單來說，波……

查看詳情 >>

先進封裝核心技術之一：TSV

更新日期： 2024-09-19
瀏覽次數： 933

在先進封技術中，TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）是一種關鍵的垂直互連技術，它通過在芯片內部打通的通道實現了電氣信號的垂直傳輸。TSV可以顯著提高芯片之間的數據傳輸效率，減少信號延遲，降低功耗，并提升封裝的集成密度。以下是對TSV技術的詳細解釋。 1. TSV的基本概念 TSV 是一種……

查看詳情 >>