MO（Mistake Operation） 是指在集成電路制造過程中，由于人為操作失誤導(dǎo)致的錯(cuò)誤。這類錯(cuò)誤可能發(fā)生在生產(chǎn)工藝的多個(gè)環(huán)節(jié)中，例如設(shè)備操作、數(shù)據(jù)輸入、工藝參數(shù)設(shè)置或產(chǎn)品檢查等。MO 通常不屬于設(shè)備本身的故障，而是因?yàn)槿藶槭韬龌蝈e(cuò)誤判斷而引發(fā)的問題。 MO 的特點(diǎn) 人為因素主導(dǎo)： MO 的發(fā)生主要源于操作人員的失誤，如沒有正確按照操作流程執(zhí)行，

CPK（Process Capability Index） 是制程能力的關(guān)鍵指標(biāo)，用于評(píng)估工藝過程能否穩(wěn)定生產(chǎn)出符合規(guī)格范圍的產(chǎn)品。它通過統(tǒng)計(jì)分析實(shí)際數(shù)據(jù)來衡量制程的中心位置與規(guī)格目標(biāo)的偏離程度，同時(shí)考慮過程的變異情況。換句話說，CPK反映了制程滿足設(shè)計(jì)要求的能力，以及制程的性能穩(wěn)定。 CPK 的計(jì)算公式如下： C P

DeepSeek模型，尤其是其基于MOE（混合專家）架構(gòu)的DeepSeek-V3，對(duì)芯片算力的要求產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。為了更好地理解這一影響，我們可以從幾個(gè)方面進(jìn)行分析。 1.MOE架構(gòu)對(duì)算力的優(yōu)化 MOE架構(gòu)的核心理念是將整個(gè)模型劃分為多個(gè)子模型（專家），每個(gè)子模型負(fù)責(zé)特定的任務(wù)，且在實(shí)際推理時(shí)并非激活所有專家，而是根據(jù)輸入數(shù)據(jù)選擇性激活需要的專家。對(duì)于芯片算力的影響主要體現(xiàn)在以下幾點(diǎn)：

要聞簡(jiǎn)介 ……

可以將FE比作是一個(gè)“戰(zhàn)地指揮官”，他們直接面對(duì)現(xiàn)場(chǎng)的挑戰(zhàn)，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)解決問題。在工廠或生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)，F(xiàn)E就像是“設(shè)備的醫(yī)生”，時(shí)刻關(guān)注設(shè)備的健康狀況，及時(shí)為設(shè)備“治療”，確保生產(chǎn)的順利進(jìn)行。FE的職責(zé)不僅僅是“修理”問題，還包括“預(yù)防”問題，通過現(xiàn)場(chǎng)的分析與優(yōu)化，減少設(shè)備故障和生產(chǎn)停滯的風(fēng)險(xiǎn)。 1. 定義和角色定位 ……

邊緣芯片（edge die）是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯片，由于晶圓制造過程中的掩模對(duì)準(zhǔn)誤差或晶圓切割等原因，這些芯片可能在設(shè)計(jì)上存在缺陷或尺寸不完整。以下是對(duì)邊緣芯片的詳細(xì)解釋： 1. 邊緣芯片的形成原因 晶圓制造過程中，光刻、沉積、刻蝕等工藝的作用通常會(huì)集中在晶圓的中心區(qū)域，因?yàn)檫@些區(qū)域的對(duì)準(zhǔn)精度更高、工藝……

晶圓制造核心材料 掩膜版，亦稱光罩，是微電子制造領(lǐng)域內(nèi)光刻工藝不可或缺的核心組件，其角色相當(dāng)于傳統(tǒng)攝影中的“底片”，扮演著承載精密圖形設(shè)計(jì)和技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的媒介角色。這一技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)、平板顯示制造、電路板生產(chǎn)及觸控屏產(chǎn)業(yè)等多個(gè)高科技領(lǐng)域。依據(jù)最終應(yīng)用領(lǐng)域的差異，掩膜版被細(xì)分為平板顯示掩膜版、……

在半導(dǎo)體集成電路(IC)制造過程中，BOAT（晶舟）是一種常用的工具，主要用于承載、傳送、清洗和處理芯片。它的作用類似于運(yùn)輸工具，確保芯片在復(fù)雜的制造工藝中能夠順利、安全地完成各個(gè)環(huán)節(jié)的處理。 一、BOAT的定義與功能 BOAT是半導(dǎo)體制造過程中用于承載和傳送芯片的工具。它的名稱“晶舟”形象地比喻了其在半導(dǎo)……

晶圓定位邊（wafer flat）和凹槽（notch）是晶圓制造過程中用于確定晶圓方向的重要特征，它們?cè)诰A的加工、對(duì)準(zhǔn)和檢測(cè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。 1. 晶圓定位邊（Wafer Flat） 晶圓定位邊是指晶圓外緣上平直的部分，它用于標(biāo)記晶圓的特定方向，確保在晶圓的加工和處理過程中，晶圓能夠正確地對(duì)準(zhǔn)。可……

晶圓制造工藝是半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟，晶圓的邊緣區(qū)域?qū)φ麄€(gè)制造過程和成品良率具有重要影響。 1. 防止邊緣效應(yīng)影響芯片質(zhì)量 邊緣效應(yīng)指的是由于晶圓邊緣的處理不同于中心區(qū)域，導(dǎo)致的電學(xué)和物理性能的差異。晶圓邊緣由于距離加工工具較遠(yuǎn)或光刻曝光時(shí)的處理不均，可能會(huì)出現(xiàn)性能不穩(wěn)定的情況。比如，金屬層和通孔的連接可能……

2024年12月23日，美國(guó)貿(mào)易代表辦公室宣布對(duì)中國(guó)成熟制程芯片發(fā)起301條款調(diào)查。對(duì)此，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）總裁兼首席執(zhí)行官 John Neuuffer發(fā)布聲明回，內(nèi)容涉及拜登政府決定發(fā)起 301 條款貿(mào)易調(diào)查，重點(diǎn)關(guān)注中國(guó)與針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位相關(guān)的行為、政策和做法。 以下為聲明原文： 中……

氮化鎵龍頭大廠英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”）于今年6月正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請(qǐng)之后，12月12日晚間，根據(jù)港交所披露的信息顯示，英諾賽科已經(jīng)通過上市聆訊，并披露聆訊后資料集。 根據(jù)計(jì)劃，英諾賽科將全球發(fā)售4536.4萬股H股，發(fā)售價(jià)區(qū)間為每股30.86港元至33.……