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發(fā)布時(shí)間:2024-09-19作者來(lái)源:薩科微瀏覽:1122
新的隔離調(diào)制器在靜態(tài)和動(dòng)態(tài)CMTI:Common mode transient immunity(共模瞬變抗擾度)條件下進(jìn)行了測(cè)試。靜態(tài)測(cè)試檢測(cè)來(lái)自器件的單個(gè)位錯(cuò)誤。動(dòng)態(tài)測(cè)試監(jiān)測(cè)濾波后的數(shù)據(jù)輸出,以觀察在CMTI脈沖隨機(jī)應(yīng)用中的噪聲性能變化。詳細(xì)測(cè)試框圖如下圖所示。
CMTI:是指對(duì)施加在隔離電路間的高速瞬變共模電壓的上升/下降容許速率dVcm/dt,通常以kV/μs或V/ns表示。如下圖示:
CMTI指出了隔離電路對(duì)高速瞬變信號(hào)穿過隔離層而破壞輸出狀態(tài)的抑制能力,也體現(xiàn)隔離電路對(duì)快速瞬態(tài)信號(hào)干擾的敏感性。更高的CMTI指標(biāo)意味著隔離電路/器件在以其限定的測(cè)試條件下(例如IN=VCCI or GNDI,Vcm=1200V)可以在更高的上升或下降速率共模電壓沖擊隔離屏障時(shí)能保證輸出(OUT)沒有發(fā)生錯(cuò)誤。
隨著新一代寬禁帶半導(dǎo)體器件(如SiC和GaN)的普及,與傳統(tǒng)的MOSFET和IGBT 相比,設(shè)備和應(yīng)用需要更高的開關(guān)頻率,在導(dǎo)通/關(guān)斷瞬變期間會(huì)出現(xiàn)更高瞬變電壓的邊沿速率。高性能隔離器的CMTI額定值很容易達(dá)到100V/ns,許多CMTI測(cè)試的結(jié)果都超過200V/ns。使用低CMTI 隔離器在高dVcm/dt環(huán)境中預(yù)期會(huì)出現(xiàn)信號(hào)完整性 問題,這在特定的環(huán)境比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)或太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用場(chǎng)景中,任何的脈沖抖動(dòng)、失真、運(yùn)行不穩(wěn)定或脈沖信息丟失都會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)完整性產(chǎn)生重大影響,可能導(dǎo)致危險(xiǎn)的短路事件。CMTI的測(cè)試在這類隔離電路中尤其是在具備隔離功能的芯片指標(biāo)測(cè)試中變得非常重要。
CMTI的測(cè)試基于IEC 60747-17:2020標(biāo)準(zhǔn)。分為靜態(tài)測(cè)試 和動(dòng)態(tài)測(cè)試。
靜態(tài)CMTI測(cè)試
靜態(tài)是指把輸入引腳連邏輯高電平或者低電平,然后模擬施加共模瞬變CMT,理論上在CMTI規(guī)格以內(nèi)的沖擊都無(wú)法改變輸出狀態(tài)。
動(dòng)態(tài)CMTI測(cè)試
和靜態(tài)CMTI的要求一樣,在動(dòng)態(tài)共模瞬變CMT的沖擊下,輸出也應(yīng)當(dāng)保持正常,如果CMTI的能力不夠強(qiáng),會(huì)出現(xiàn)類似missing pulse, excessive propagation delay, high or low error或者output latch的錯(cuò)誤。
鑒于高速瞬變且高共模電壓的測(cè)試環(huán)境 ,推薦使用高帶寬且全頻段CMRR優(yōu)異的示波器測(cè)試系統(tǒng)對(duì)隔離器件的CMTI能力及隔離電路信號(hào)穩(wěn)定性做測(cè)量,測(cè)試連接如下:
CMTI推薦測(cè)試方案
高噪聲瞬變會(huì)導(dǎo)致柵極驅(qū)動(dòng)器失去信號(hào)完整性或者“毛刺”,從而導(dǎo)致系統(tǒng)調(diào)制失敗;或者更糟的是生成一個(gè)偽信號(hào),其可能觸發(fā)兩個(gè)功率MOSFET同時(shí)接通,從而引發(fā)危險(xiǎn)的電氣短路情況。高瞬變也可能造成柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)入一種[敏感詞]的閂鎖狀態(tài),這也會(huì)引發(fā)危險(xiǎn)情況。
控制電源開關(guān)的柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)必須能夠承受這些噪聲瞬變,同時(shí)不會(huì)造成毛刺或閂鎖。驅(qū)動(dòng)器承受這些共模噪聲瞬變的能力被定義為CMTI,它由大多數(shù)廠商通常列在其產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)中的一項(xiàng)規(guī)格來(lái)定義,并以kV/μs為單位來(lái)表示。這種瞬態(tài)通常是由開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的高dV/dt引起的。如下圖以光伏逆變器系統(tǒng)為例,隔離驅(qū)動(dòng)器有一側(cè)的地是懸浮的并且快速切換的。這里CMTI是一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo),如果CMTI能力不夠,可能會(huì)導(dǎo)致輸出錯(cuò)誤,可能會(huì)出現(xiàn)電路短路,影響系統(tǒng)安全。對(duì)其他應(yīng)用比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,變頻器是如此。
典型光伏逆變器系統(tǒng)
為了減少開關(guān)損耗而縮短上升下降時(shí)間,對(duì)CMTI的要求會(huì)變高。另外為了提高功率密度節(jié)省成本,很多新的平臺(tái)會(huì)考慮提高開關(guān)頻率,甚至采用SiC或GaN,這同樣會(huì)帶來(lái)CMTI需求的變大。具有高CMTI的器件在干擾大的環(huán)境中, EMC/EMI的性能會(huì)更好。比如一個(gè)1500V的變頻器,64kHz的開關(guān)頻率,50-ns的上升/下降時(shí)間需要最少30-V/ns的CMTI, 建議選擇40V/ns以上。
在隔離電源轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器需要被隔離以保持從首級(jí)側(cè)到次級(jí)側(cè)的隔離完整性。柵極驅(qū)動(dòng)器通常為功率FET的柵極提供高達(dá)4A的開關(guān)電流。對(duì)于給定的FET柵極電容,電流驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng),開關(guān)速率就越快。下圖顯示了一個(gè)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的簡(jiǎn)單原理圖其連接至一個(gè)電壓達(dá)400V的功率FET的柵極。
隔離柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
結(jié)隔離驅(qū)動(dòng)器
結(jié)隔離驅(qū)動(dòng)器有一個(gè)浮動(dòng)的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器去適應(yīng)高電壓線路。對(duì)于這樣的設(shè)備而言,[敏感詞]額定電壓約為600V。通常情況下,這些產(chǎn)品經(jīng)濟(jì)實(shí)惠,但具有較小的瞬變抑制力,很容易閂鎖,從而造成[敏感詞]損壞或安全危害。一般來(lái)說(shuō),用于支持信號(hào)完整性的CMTI規(guī)格是在10kV/μs范圍之內(nèi),而用于支持閂鎖抗擾的CMTI規(guī)格是在50 kV/μs范圍之內(nèi)。
光耦合柵極驅(qū)動(dòng)器都被真正地隔離(相對(duì)于浮動(dòng)的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器),而且它們已經(jīng)存在了相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間。典型光耦合驅(qū)動(dòng)器的CMTI規(guī)格在10-20 kV/μs之間,而[敏感詞]產(chǎn)品則擁有大為改善的性能,其CMTI值達(dá)到50 kV/μs(最小值)。
除了結(jié)驅(qū)動(dòng)器或光耦合驅(qū)動(dòng)器之外,諸如電容耦合或變壓器耦合解決方案等技術(shù),也使性能提升了一大截。
實(shí)現(xiàn)可能的最快開關(guān)速率同時(shí)確保安全性——電容耦合和變壓器耦合驅(qū)動(dòng)器的[敏感詞]優(yōu)勢(shì)在于,他們能夠承受極高的噪聲瞬變,而又不會(huì)丟失數(shù)據(jù)并不會(huì)被閂鎖。一些[敏感詞]的變壓器耦合柵極驅(qū)動(dòng)器的CMTI規(guī)范為50 kV/μs(最小值),而這仍然不能滿足我們所考慮的[敏感詞]效率系統(tǒng)。[敏感詞]的電容耦合解決方案支持信號(hào)完整性的CMTI為200 kV/μs(最小值),支持閂鎖抗擾的CMTI為400 kV/μs([敏感詞]值)。這是業(yè)界領(lǐng)先的性能,且最適合當(dāng)今的新型高頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
使用電容耦合隔離驅(qū)動(dòng)器非常快速(低延遲),并且信道之間和器件之間的一致性優(yōu)于其它解決方案。與一些流行的光耦柵極驅(qū)動(dòng)器相比,其傳輸時(shí)延(延遲)性能要好10倍之多,同時(shí)器件之間的一致性也要好10倍甚至更多。這種一致性為設(shè)計(jì)人員提供了另一項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)——系統(tǒng)的整體調(diào)制方案可以進(jìn)行微調(diào)以實(shí)現(xiàn)[敏感詞]效率和安全性,而無(wú)需去適應(yīng)規(guī)格變動(dòng)。
這些驅(qū)動(dòng)器還允許較低電壓操作(相比5V的2.5V),以及更寬的工作溫度范圍-40℃至125℃,而光耦合驅(qū)動(dòng)器僅為-40℃至105℃。此類驅(qū)動(dòng)器還提供其它先進(jìn)的特性,例如輸入噪聲濾波器、異步關(guān)斷能力,以及在同一個(gè)封裝中的諸如半橋或雙通道獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器等多種配置。
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