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產品展示

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數字晶體管DTC114EE 數字晶體管DTC114EE 數字晶體管DTC114EE
數字晶體管DTC114EE

晶體管類型:NPN

集射極擊穿電壓(Vceo):50V

集電極電流(Ic):100mA

功率(Pd):150mW

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):0.3V @ 10mA,0.5mA

特征頻率(fT):250MHz

工作溫度:150℃@(Tj)

產品詳情

產品概述:

DTC114EE是由薩科微(Slkor)生產的 NPN 型數字晶體管,適用于多種應用場景。該晶體管具有高集電極擊穿電壓、適度的集電極電流和低功耗的特點。采用適用于表面貼裝的封裝,適用于各種電子設備。


關鍵特性:

晶體管類型: NPN - 面向負正負型晶體管的 NPN 型設計。

集射極擊穿電壓(Vceo): 50V - 提供較高的集射極擊穿電壓。

集電極電流(Ic): 100mA - 具有適度的集電極電流能力。

功率(Pd): 150mW - 適用于低功耗電子設備。

集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.3V @ 10mA,0.5mA- 低飽和電壓設計。

特征頻率(fT): 250MHz - 適用于高頻應用。


應用領域:

數字邏輯電路

放大器和放大電路

電源管理系統

通信設備

LED 驅動器

性能優勢:

較高的擊穿電壓: 50V 的擊穿電壓,適用于中到高壓應用。

適度的集電極電流能力: 100mA 的集電極電流,適用于多種應用場景。

低功耗: 150mW 的功率,適用于低功耗電子設備。

低飽和電壓設計: 0.3V 的飽和電壓,有助于降低功耗。

較高的特征頻率: 250MHz 的特征頻率,適用于高頻應用。

安裝與使用:

DTC114EE采用適用于表面貼裝的封裝。詳細的安裝和使用說明可參考產品手冊,確保[敏感詞]性能和穩定性。


注意事項:

在使用DTC114EE時,請根據產品手冊提供的電氣特性和[敏感詞][敏感詞]額定值來選擇合適的工作條件,并確保正確連接和使用。


為了獲取更多技術支持和產品信息,請聯系薩科微(Slkor)客戶服務團隊。

DTC114EE SOT-523_00.png

服務熱線

0755-83044319

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