當?shù)貢r間3月8日，荷蘭光刻機大廠ASML通過官網(wǎng)發(fā)布了《關(guān)于額外出口管制的聲明》稱，荷蘭政府于當天發(fā)布了有關(guān)即將對半導體設(shè)備出口進行限制的更多信息。這些新的出口管制側(cè)重于先進的芯片制造技術(shù)，包括[敏感詞]的沉積和部分浸沒式光刻設(shè)備。

ASML強調(diào)，荷蘭政府新出臺的額外的出口管制并不涉及所有浸沒式光刻設(shè)備，而只涉及所謂的“[敏感詞]”設(shè)備。

盡管ASML尚未收到有關(guān)“[敏感詞]”確切定義的任何其他信息，但ASML將其解釋為“關(guān)鍵浸沒式光刻設(shè)備”，ASML將其定義為TWINSCAN NXT：2000i及之后的浸沒式光刻系統(tǒng)。

ASML指出，主要關(guān)注成熟節(jié)點的客戶可以繼續(xù)使用不太先進的浸沒式光刻工具。

ASML預計，新出臺的額外的出口管制措施并不會對其此前發(fā)布的2023財年的財務(wù)展望或去年底投資日上宣布的長期愿景產(chǎn)生重大影響。

荷蘭新規(guī)影響究竟有多大？

早在今年1月底，就有爆料稱，美國已與荷蘭和日本達成協(xié)議，限制向中國出口一些先進的芯片制造設(shè)備。該協(xié)議將把美國 10 月份通過的一些出口管制擴大到這兩個盟國的公司，包括 ASML Holding NV、Nikon Corp和 Tokyo Electron Ltd.等。

2月初據(jù)路透社報道，美商務(wù)部副部長Don Graves于當?shù)貢r間周二在華盛頓一個活動期間證實，美國已與日本和荷蘭達成了對華半導體出口管制協(xié)議。但是日本和荷蘭政府之后并未迅速出臺具體的細則，也使得外界猜測不斷。

此前外界預期，荷蘭政府將在限制ASML向中國出口EUV（極紫外光）光刻機的基礎(chǔ)上，再度限制部分浸沒式光刻機（屬于DUV光刻機）的出口，主要是限制先進制程芯片的制造。

所謂浸沒式光刻機，屬于193nm（光源）光刻機（分為干式和浸沒式），可以被用于16nm至7nm先進制程芯片的制造，但是目前也有被業(yè)界廣泛應(yīng)用在45nm及以下的成熟制程當中。目前全球僅有ASML和尼康兩家公司生產(chǎn)。由于美國的主要目標是限制中國的先進制程芯片制造能力，因此，業(yè)界普遍預期荷蘭政府的即將出臺的新的限制將會主要針對中高端型號的浸沒式光刻機，主要用于成熟制程的浸沒式光刻機將不會受到限制。

隨著ASML[敏感詞]聲明的公布，也意味著外界的猜測基本正確。

目前ASML在售的浸沒式光刻機主要有三大型號：TWINSCAN NXT:2050i、TWINSCAN NXT:2000i 和TWINSCAN NXT:1980Di。根據(jù)ASML的解讀，其TWINSCAN NXT:2000i及之后的浸沒式光刻系統(tǒng)將會受到出口限制。這也意味著，TWINSCAN NXT:1980Di 仍將可以出口。

根據(jù)ASML官網(wǎng)的介紹，TWINSCAN NXT:1980Di 的分辨率可以達到≤38nm，每小時可以生產(chǎn)275片晶圓。

據(jù)芯智訊了解，NXT:1980Di 雖然分辨率在38nm左右，但是通過多重曝光，依然可以支持到7nm左右。只不過，這樣步驟更為復雜，成本更高，良率可能也會有損失。據(jù)說臺積電的[敏感詞]代7nm工藝也是基于 NXT:1980Di 實現(xiàn)的。

不過，目前NXT:1980Di 更多還是被用于45nm以下成熟制程的生產(chǎn)。資料也顯示，2018年，長江存儲和華力二期（華虹六廠）訂購的NXT:1980Di 成功進廠安裝，支持了兩家晶圓廠的生產(chǎn)。

ASML于2018年下半年正式出貨的更為先進的浸潤式光刻機NXT:2000i 通過多重曝光則可以支持到7nm及5nm制程工藝需求。2018年12月，ASML NXT2000i 首次進入中國，正式搬入SK海力士位于無錫的工廠。

據(jù)說更先進的NXT:2050i型光刻機也有進入中國，不過具體哪些廠商有采用并不清楚。去年ASML就曾表示，除EUV光刻機之外的所有機型都可以向中國正常出貨。

總結(jié)來說，此次荷蘭政府出臺的關(guān)于ASML部分浸沒式光刻機的限制基本符合之前的預期，雖然NXT:2050i和NXT:2000i受限，但是NXT:1980Di 依然是可以出口到中國，目前國內(nèi)大量采用NXT:1980Di 進行成熟制程制造的晶圓廠將不會受到影響。此外，如果國內(nèi)想要繼續(xù)發(fā)展先進制程，也依然是可以通過NXT:1980Di 來進行，只不過成本、良率都要差一些，難有市場競爭力。

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