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0755-83044319
類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):30V
連續(xù)漏極電流(Id):178A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1mΩ@10V,20A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.7V@250μA
產(chǎn)品介紹:低壓高功率N溝道MOS管SL180N03Q
一、產(chǎn)品概述
薩科微slkor低壓MOS管SL180N03Q是一款專為高效率、高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)的低壓N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該產(chǎn)品以其卓越的電氣性能和緊湊的封裝設(shè)計(jì),在電力電子系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,特別適用于需要快速開關(guān)響應(yīng)和低導(dǎo)通電阻的場合。其額定漏源電壓高達(dá)30V,連續(xù)漏極電流能力達(dá)到驚人的178A,使得SL180N03Q成為驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制、電源轉(zhuǎn)換、電池管理等領(lǐng)域中的理想選擇。
二、產(chǎn)品特性
高電流承載能力:支持高達(dá)178A的連續(xù)漏極電流,滿足高功率應(yīng)用需求。
低導(dǎo)通電阻:在10V柵源電壓下,20A電流時(shí)的導(dǎo)通電阻僅為1.1mΩ,有效降低功耗,提升系統(tǒng)效率。
低閾值電壓:閾值電壓僅為1.7V@250μA,便于驅(qū)動(dòng),適用于低電壓控制環(huán)境。
快速開關(guān)特性:優(yōu)異的開關(guān)速度有助于減少開關(guān)損失,提升整體性能。
緊湊封裝:采用先進(jìn)的封裝技術(shù),體積小,便于集成于高密度電路板中。
三、產(chǎn)品優(yōu)勢
高效節(jié)能:低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性相結(jié)合,顯著降低能量損耗,提升系統(tǒng)能效。
可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和可靠性測試,確保在惡劣工況下也能穩(wěn)定工作。
易于驅(qū)動(dòng):低閾值電壓設(shè)計(jì),簡化了驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),降低了系統(tǒng)復(fù)雜性。
廣泛應(yīng)用:適用于多種高功率電子系統(tǒng),如電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、工業(yè)電源等。
四、應(yīng)用領(lǐng)域
電動(dòng)汽車與混合動(dòng)力汽車:用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,提高車輛動(dòng)力性能和能源效率。
電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng):如DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器,優(yōu)化能源轉(zhuǎn)換效率。
電池管理系統(tǒng):保護(hù)和控制電池充放電過程,延長電池使用壽命。
工業(yè)自動(dòng)化:在電機(jī)控制、伺服驅(qū)動(dòng)等場合提供高效能的電力轉(zhuǎn)換與調(diào)節(jié)。
五、注意事項(xiàng)
散熱設(shè)計(jì):由于SL180N03Q在高功率下工作,務(wù)必確保良好的散熱條件,避免過熱損壞。
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì):合理設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路,確保柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流滿足MOS管的規(guī)格要求,避免誤導(dǎo)通或損壞。
靜電防護(hù):在安裝和使用過程中,采取必要的靜電防護(hù)措施,防止靜電放電對MOS管造成損害。
選型匹配:根據(jù)具體應(yīng)用場景的電壓、電流需求,選擇合適的MOSFET型號,確保系統(tǒng)性能和安全。
SL180N03Q以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用潛力,正逐步成為高功率電子系統(tǒng)中的重要組件,助力各行各業(yè)實(shí)現(xiàn)更高效、更可靠的電力轉(zhuǎn)換與控制。
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